В каких приборах есть транзистор c945

В каких приборах есть транзистор c945

Транзистор C945 — это тип отрицательно-положительно-отрицательного (NPN) транзистора с биполярным соединением. Как правило, в схемах, где требуется слаботочный высокоскоростной транзистор, будет использоваться транзистор https://radiosvod.ru/tranzistor/c945, такой как транзистор C945. В таких схемах, как усилитель слабого сигнала или высокоскоростная коммутационная схема, может использоваться один или несколько транзисторов C945. Транзистор C945 может использоваться в нескольких типах электронных схем, но он лучше всего подходит для использования в приложениях с низким энергопотреблением.

Биполярные переходные транзисторы содержат три полупроводниковые области: коллектор, основание и эмиттер. Транзистор с биполярным переходом NPN, такой как C945, содержит базовую область, легированную полупроводниковым материалом положительного или P-типа, а также области коллектора и эмиттера, легированные полупроводниковым материалом отрицательного или N-типа. Эта конфигурация позволяет транзистору C945 проводить электрический ток между областями коллектора и эмиттера, когда напряжение подается на базовую область транзистора.

Некоторые переключающие устройства, такие как электромеханические реле, могут быть слишком медленными, чтобы включать или выключать цепь. Электронная схема, содержащая транзистор C145, может использоваться в схеме переключения, которая требует высокоскоростного переключения. Типичное реле может занять пять миллисекунд для включения и 10 миллисекунд для отключения, но транзистор C145 может включаться или выключаться 150 миллионов раз в секунду.

Транзистор C145 также может использоваться в схеме усилителя. Схемы усилителя используют транзистор и напряжение постоянного тока (DC) для повышения уровня мощности входного сигнала переменного тока (AC). Для усилителя, основанного на NPN-транзисторе, сигнал переменного тока пропускается через базовую область на транзисторе. Перепад напряжения между областями коллектора и эмиттера на транзисторе добавляет мощность к сигналу переменного тока, и выходной сигнал переменного тока получается путем подключения выходного устройства к области коллектора на транзисторе.

Каждый транзистор с биполярным переходом содержит несколько номиналов, которые служат ориентиром для использования транзистора. Транзистор C145 лучше всего использовать в приложениях с низким энергопотреблением. Максимальное напряжение, которое может быть приложено от области коллектора к области эмиттера на транзисторе C145, составляет 50 вольт; в противном случае транзистор перегреется и выйдет из строя. Максимальное напряжение, которое может быть приложено от базовой области к области эмиттера, составляет 5 вольт. Общая мощность, которую можно безопасно подать на транзистор С145, составляет 0,4 Вт.

Оставлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи

Источник

Характеристики транзистора C945

Как написано в технических характеристиках транзистора C945 (2SC945) – это кремниевое, высокочастотное, биполярное устройство, имеющий n-p-n структуру. Относится к средней мощности. Может использоваться в различных схемах, таких как усилители, генераторы и управляющая электроника.

Цоколевка

Изготавливается 2SC945 в корпусе для дырочного монтажа ТО-92 и для поверхностного монтажа SOT-23. Выводы расположены в следующем порядке, если считать слева направо эмиттер, коллектор и база. Но некоторые производители, например, южнокорейская компания Kwang Myoung установила такой порядок следования ножек: эмиттер, база, коллектор.

Поэтому перед установкой C945 рекомендуется точно проверить от какого производителя у вас транзистор. Компании при нанесении маркировки на ТО-92 часто пропускают первые два символа и получается C945. На упаковке SOT-23 имеется надпись CR.

Технические характеристики

Рассмотрение технических характеристик начнём с максимально допустимых параметров. Они важны, так как если превысить эти значения, то транзистор выйдет из строя. Их измерение производилось при температуре 25°С. Для 2SC945 они равны:

• напряжение К – 60 В;
• напряжение К – Э 50 В;
• напряжение Э – Б 5 В;
• ток коллектора 100 мА;
• ток базы 50 мА;
• мощность 250 мВт;
• температура хранения -55 … +150°С;
• температура кристалла Тj = +150°С.

Теперь рассмотрим электрические характеристики, от них напрямую зависят возможности транзистора. Их измерения производились также при температуре 25°С. Остальные параметры, от которых зависят результаты измерения, приведены в следующейй таблице в отдельной колонке «Условия тестирования»

Электрические характеристики транзистора BC547 (при Т = +25 о C)
Параметры	Условия тестирования	Обозначения	мин	тип	мах	Ед. изм
Напряжение пробоя К — Б	IК = 100 мкA, IЭ = 0	BVCBO	60	В
Напряжение пробоя К — Э	IК = 1,0 mA, IБ = 0	BVCЕO	50	В
Напряжение пробоя К — Э	IЭ = 10 мкA, IК = 0	BVЕBO	5	В
Обратный ток коллектора	Uкэ=50В, Uкб=0В	ICBO	0,1	мкА
Обратный ток эмиттера	Uкб = 5В, Uэб=0В	ICBO	0,1	мкА
Статический к-т усиления	IК = 0,1 мA, Uкэ = 6В	hFE1	50
	IК = 1 мA, Uкэ = 6В	hFE2	135	600
Напряжение насыщения К — Э	IК=100мA, IБ=10мA	VCE(sat)	0,1	0,3	В
Б –Э напряжение включения	IК=2.0мA, Uкэ=5B	Uбэ(вкл)	0,55	0,7	В
	IК=10мA, Uкэ=5B		0,77	В
Граничная частота к-та передачи тока	Uкэ=6B, IК=10мA, f=100МГц	fгр.	150	600	МГц
Выходная емкость	Uкб=10В, IЭ=0, f=1МГц	Свых	1,7	4,5	пФ
Входная емкость	Uкб=10В, IК=0, f=1МГц	Свх	4	пФ

В зависимости от значения к-та усиления h_FE разные производители классифицируют свои транзисторы по-разному. Большинство делят их на четыре части:

1. R от 90 до 180;
2. Q от 135 до 270;
3. P от 200 до 400;
4. K от 300 до 600.

Другие делят на такие части:

1. O от 70 до 140;
2. Y от 120 до 240;
3. GR от 200 до 400;
4. BL от 350 до 700;

Транзисторы в корпусе SOT-23, по к-ту h_FE, могут делиться на две части:

1. L от 130 до 200;
2. H от 200 до 40

Паять 2SC945 можно не ближе 5 мм от транзистора и не более 3 с. При этом температура паяльника на может быть выше +260°С.

Аналоги

Из наиболее близких аналогов для c945 назовём такие: 2SC1000

Существуют также отечественные аналоги, это: КТ3102А, КТ3102Б и КТ3102Д. Комплементарной парой для него является транзистор A733.

Производители

Среди крупнейших производителей 2SC945 (datasheet скачать можно кликнув по названию) приведём следующие компании:

В отечественных магазинах чаще всего встречаются изделия следующих производителей: Dc Components, NEC.

Источник

Транзистор С945

Цоколевка

Таблица предельных значений

При превышении значений параметров, указанных в таблице, производитель не гарантирует не только работу транзистора С945 в номинальных режимах и функционирование, в соответствии с графиками, но и целостность самого элемента.

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

Обозначение	Параметр	Величина	ед.изм.
VCBO	Напряжение коллектор-база	60	В
VCEO	Напряжение коллектор-эмиттер	50	В
VEBO	Напряжение эмиттер-база	5	В
IC	Постоянный ток коллектора	150	мА
PC	Мощность рассеяния	400	мВт
TJ	Максимальная рабочая температура	125	°C
Tstg	Интервал рабочих температур	-55…125	°C

Основные электрические параметры

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

Обозначение	Параметр	Условия измерения	Величина	Ед. изм.
V(BR)CBO	Напряжение пробоя коллектор-база	IC=1мA, IE=0	60	В
V(BR)CЕO	Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	IC=100мкA, IВ=0	50	В
V(BR)ЕBO	Напряжение пробоя эмиттер-база	IЕ=1мкA, IС=0	5	В
ICBO	Ток отсечки коллектора	VCB=60В, IE=0	0,1	мкА
ICЕO	Ток отсечки коллектора	VCЕ=45В, IE=0	0,1	мкА
IЕВО	Ток отсечки эмиттера	VЕВ=45В, IС=0	0,1	мкА
hFE(1)	Коэффициент усиления по постоянному току	VCE=6В, IC=1мA	70…700
hFE(2)		VCE=6В, IC=0.1мA	40
VCE(sat)	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	IC=100мA, IB=10мA	0,3	В
VBE(sat)	Напряжение насыщения база-эмиттер	IC=100мA, IB=10мA	1	В
fT	Граничная частота коэффициента передачи тока	VCE=6В, IC=10mA, f=30МГц	200	МГц
Cob	Выходная емкость коллектора	VCB=10В, IE=0, f=1МГц	3	пФ
NF	Уровень шума	VCE=6В, IC=0.1мА RG=10кОм, f=1МГц	10	dB

Классификация по коэффициенту усиления hFE(1)

Модификации транзистора

Тип	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Tj	Cc	Ic	hfe	ft	Корпус
C945	0.2 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3 pf	0.15 A	130	150 MHz	SOT23
2SC945	0.25 W	50 V	40 V	5 V	125 °C	0.1 A	75	125 MHz	TO-92
STC945	0.5 W	50 V	40 V	5 V	150 °C	2 pf	0.15 A	70	80 MHz	TO-92
2PC945	0.5 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	4 pf	0.1 A	50	150 MHz	SOT54, TO-92, SC43
2SC945-GR	0.4 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	0.15 A	200	150 MHz	TO-92
2SC945-Y	0.4 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	0.15 A	120	150 MHz	TO-92
2SC945L	0.25 W	50 V	40 V	5 V	125 °C	0.1 A	75	125 MHz	TO-92
2SC945O	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2.5 pf	0.15 A	70	300 MHz	TO-92
2SC945P	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2.5 pf	0.15 A	200	300 MHz	TO-92
2SC945R	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2.5 pf	0.15 A	40	300 MHz	TO-92
2SC945T	0.25 W	50 V	40 V	5 V	125 °C	0.1 A	75	125 MHz	TO-92
2SC945Y	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2.5 pf	0.15 A	120	300 MHz	TO-92
BTC945A3	0.625 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	9 pf	0.2 A	135	150 MHz	TO-92
C945LT1	0.2 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	0.15 A	40	150 MHz	SOT23
C945T	0.4 W	60 V	50 V	5 V	125 °C	3 pf	0.15 A	70	200 MHz	TO-92
CSC945	0.25 W	60 V	45 V	5 V	125 °C	4 pf	0.1 A	50	150 MHz	TO-92
CSC945K	0.25 W	60 V	45 V	5 V	125 °C	4 pf	0.1 A	50	150 MHz	TO-92
CSC945P	0.25 W	60 V	45 V	5 V	125 °C	4 pf	0.1 A	50	150 MHz	TO-92
CSC945Q	0.25 W	60 V	45 V	5 V	125 °C	4 pf	0.1 A	50	150 MHz	TO-92
CSC945R	0.25 W	60 V	45 V	5 V	125 °C	4 pf	0.1 A	50	150 MHz	TO-92
FPC945	0.25 W	50 V	40 V	175 °C	5 pf	0.1 A	200	250 MHz	TO-92
FTC945B	0.4 W	60 V	50 V	5 V	125 °C	3 pf	0.15 A	70	200 MHz	TO-92
HSC945	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	4 pf	0.1 A	135	150 MHz	TO-92
KSC945	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.15 A	40	300 MHz	TO-92
KSC945G	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.15 A	200	300 MHz	TO-92
KSC945L	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.15 A	350	300 MHz	TO-92
KSC945O	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.15 A	70	300 MHz	TO-92
KSC945R	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.15 A	40	300 MHz	TO-92
KSC945Y	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.15 A	120	300 MHz	TO-92
KTC945	0.625 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2 pf	0.15 A	90	300 MHz	TO-92
KTC945B	0.625 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2 pf	0.15 A	70	300 MHz	TO-92

Отечественные и импортные аналоги

Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.

Аналог	VCEO	IC	PC	hFE	fT
C945	50	0,15	0,4	70	200
Отечественное производство
КТ3102	45	0,1	0,25	250	300
Импорт
KSC945	50	0,15	0,25	40	300
2N2222	30	0,8	0,5	100	250
2N3904	40	0,2	0,31	40	300
2SC3198	50	0,15	0,4	20	130
2SC1815	50	0,15	0,4	70	80
2SC2002	60	0,3	0,3	90	70
2SC3114	50	0,15	0,4	55	100
2SC3331	50	0,2	0,5	100	200
2SC2960	50	0,15	0,25	100	100

Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945. Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать.

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

Типовые эксплуатационные характеристики

Рис.1 Зависимость тока коллектора (I_C) от напряжения коллектор-эмиттер (U_CE).

Рис.2 Зависимость коэффициента усиления (h_FE) от тока коллектора (I_C).

Рис.3 Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер (U_BEsat) от тока коллектора (I_C).

Рис.4 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (U_CEsat)от тока коллектора.

Рис.5 Зависимость граничной частоты передачи тока (f_T) от тока коллектора (I_C).

Примечание: по технической документации DONGGUAN NANJING ELECTRONICS LTD.

Источник