Транзистор ss8050 d331 для чего применяется в электробытовых приборах

Транзистор SS8050

Корпус, цоколевка и маркировка

В нижнем торце корпуса имеются три гибких вывода. Если смотреть на переднюю часть корпуса с информацией, вывода слева направо — эмиттер, база, коллектор.

Применение

По совокупности технических параметров является среднечастотным транзистором средней мощности универсального применения. Используется в источниках питания, устройствах управления нагрузкой низкого напряжения небольшой мощности, переключающих схемах разнообразного назначения и усилителях НЧ и СЧ диапазона.

Таблица предельно допустимых значений

Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.

Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.

Обозначение	Параметр	Величина	Ед.изм.
VCBO	Напряжение коллектор-база	40	V
VCEO	Напряжение коллектор-эмиттер	25	V
VEBO	Напряжение эмиттер-база	5	V
IC	Постоянный ток коллектор	1,5	A
PD	Мощность рассеяния	625	W
RθJA	Тепловое сопротивление корпус-воздух	200	°С/W
TJ, TSTG	Температурный диапазон хранения и функционирования	-55…+150	°С

Электрические характеристики

Параметры действительны при температуре воздуха 25℃.

Обозначение	Параметр	Условия измерения	Мин.	Макс.	Ед. изм.
V(BR)CBO	Пробивное напряжение коллектор-база	IC=100uA, IE=0	40	V
V(BR)CEO	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер	IC=0.1mA, IB=0	25	V
V(BR)EBO	Пробивное напряжение эмиттер-база	IE=100μA, IC=0	5	V
ICBO	Ток отсечки коллектора	VCB=40V, IE=0	0,1	μA
ICEO	Ток отсечки эмиттера	VCE=20V, IE=0	0,1	μA
IEBO	Ток отсечки эмиттера	VEB=5V, IC=0	0,1	μA
hFE(1)	Коэффициент усиления по постоянному току	VCE=1V, IC=100mA	85
hFE(2)		VCE=1V, IC=800mA	40
VCE(sat)	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	IC=800mA, IB=80mA	0,5	V
VBE(sat	Напряжение насыщения база-эмиттер	IC=800mA, IB=80mA	1,2	V
VBE	Напряжение база-эмиттер	VCE=1V, IC=10mA	1	V
fT	Граничная частота	VCE=10V, IC=50mA, f=30MHz	100	MHz

Модификации транзистора

По диапазону коэффициента усиления по току транзисторы подразделяются на 4 модификации. В маркировке это отражается латинской буквой. Соответствие буквенной маркировки и конкретных значений диапазонов hFE, приведены в таблице.

типы	B	C	D	D3
hFE1	85…160	120…200	160…300	300…400

Импортные и отечественные аналоги транзистора D209L

Аналог	VCEO	IC	PC	hFE	fT
SS8050	25	1,5	1	85	100
Отечественное производство
КТ698В	50	2	0,6	50	150
КТ6117А	160	0,6	0,625	80	100
Импорт
MPS8050	25	1,5	0,625	85	190
MPS650	40	2	0,625	75	75
MPS651	60	2	0,625	75	75
2SC4145	2	1,2	200
2SD1207	50	2	1	100	150
2SD1207R	50	2	1	100	150
2SD1207S	50	2	1	140	150
2SD1207T	50	2	1	200	150
2SD1207U	50	2	1	280	150
2SD1347	50	3	1	100	150
2SD1347R	50	3	1	100	150
2SD1347S	50	3	1	140	150
2SD1347T	50	3	1	200	150
2SD1347U	50	3	1	280	150
2STL1360	60	3	1,2	160	130
2STX1360	60	3	1	160	130
CD1207	50	2	1	100	150
KTC3205	30	2	1	100
KTD1347	50	3	1	100	150
SK3849	50	1,5	1	120	200
SM2283	25	8	1	100	100
STC4250L	50	2	2	120	240
STSA1805	60	5	1,1	85	150
STSA851	60	5	1,1	85	130
STX112	100	2	1,2	1000
TSC5988CT	60	5	1	120	130

Примечание: параметры аналогов в таблице взяты из даташип производителя.

Графические данные (эксплуатационные характеристики)

Рис.1. Зависимость тока коллектора (I_C) от напряжения коллектор-эмиттер (V_CE).

Рис.2. Зависимость коэффициента усиления (h_FE) от тока коллектора (I_C).

Рис.3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) от тока коллектора (I_C).

Рис.4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер (V_BE(sat)) от тока коллектора (I_C).

Рис.5. Зависимость тока коллектора (I_C) от напряжения база-эмиттер (V_BE).

Рис.6. Зависимость емкости (C) от обратного напряжения (V).

Рис.7. Зависимость граничной частоты (f_T) от тока коллектора (I_C).

Рис.8. Зависимость мощности рассеяния (Р_С) от температуры воздуха (Т_а).

Источник

Характеристики транзистора S8050

По своим техническим характеристикам кремниевый биполярный транзистор S8050 предназначен для использования в двухтактном УНЧ класса В и других усилителях общего назначения. Также он используется в различных модулях, построенных на Arduino, схемах управления светодиодными, источниками света и в другой электронике. Его структура n-p-n.

Цоколевка

S8050 выпускают в корпусе для дырочного монтажа ТО-92 и для навесного SOT-23. Во втором случае его маркируют как J3Y. На рисунке можно увидеть, как расположены ножки рассматриваемого устройства в обеих исполнениях.

Технические характеристики

Рассмотрение начнём с предельно возможных, превышение значений этих параметров недопустимо и ведёт к выходу транзистора из строя. Все максимальные характеристики S8050 были измерены при температуре окружающего воздуха +25 О С, вот они:

• напряжение между К-Б V_CBO (U_{кб max}) — 40 В;
• напряжение между К-Э V_CEO (U_{кэ max}) — 25 В;
• напряжение между Э-Б V_EBO (U_{эб max}) — 5 В;
• ток через коллектор I_C (I_{к max})
• в корпусе SOT-23 I_C (I_{к max}) – 500 мА;
• в корпусе ТО-92 I_C (I_{к max}) – 700 мА.
• мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе
• в корпусе SOT-23 Р_к 300 мВт;
• в корпусе ТО-92 1 Вт
• допустимая температура кристалла +150 О С;
• рабочая температура от -55 до +150 О С.

Также важными параметрами, на которые стоит обратить внимание, являются электрические характеристики. Они были измерены при температуре +25 О С. Остальные значения приведены в отдельном столбце таблице, который называется «Режимы измерения».

Электрические характеристики транзистора S8050 (при Т = +25 о C)
Название параметра	Условия измерения	Обоз	мин	тип	мах	Ед. изм
Пробивная разность потенциалов К-Б	IC = 100мкA, IЕ = 0В	V(BR)CВO	40	В
Пробивная разность потенциалов К-Э	IC=10мA, IВ= 0 В	V(BR)CEО	25	В
Пробивная разность потенциалов Э-Б	IВ= 0 В, IC= 0 В	V(BR)EBO	5	В
Ток К-Б (обратный)	VCВ= 40В, IЕ = 0	ICВO	0,1	мкА
Ток К-Э (обратный)	VCE= 20В, IВ= 0	ICEО	0,1	мкА
Ток через эмиттер (обратный)	VEB = 6В, IC = 0	IEBO	0,1	мкА
Статический к-т усиления тока	VCE=1 В,IC= 50 мA	350
Напряжение насыщения К-Э	IC= 500мA, IB = 50мA	V CE(sat)	0,6	В
Напряжение насыщения Б-Э	IC= 500мA, IB = 50мA	V ВE(sat)	1,2	В
Граничная частота к-та передачи тока	VCE=6 В, IC= 20 мA, f=30 МГц	fT	150	МГц

В зависимости от к-та передачи тока транзисторы S8050 в SMD корпусе J3Y делятся на три типа:

• L от 120 до 200;
• H от 200 до 350;
• J от 300 до 400.

Аналоги

• Транзистор S8050 можно заменить на аналоги: 2SC1008, 2SC1009, 2SD471A, , KSC1008, KSP06, KSP42, KSP43, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6532, MPS8050, MPSA42, MPSA43, MPSW01, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, S9013, SS8050, ZTX457.
• Существуют Российские аналоги: КТ6114А, КТ968В, КТ6114Б, КТ6114В.
• Комплементарна парой для рассматриваемого устройства – это S8550. В корпусе SMD он маркируется 2TY.

Производители

Перечислим производителей S8050:

В магазинах можно встретить продукцию следующих компаний:

Скачать datasheet на транзистор S8050 можно кликнув на нужного производителя.

Источник

Транзистор S8050 (J3Y)

S8050 — кремниевый, со структрурой NPN, эпитаксиально-планарный малосигнальный транзистор для общего применения. Конструктивное исполнение – ТО-92 и SMD (SOT-23).

Корпус и цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для применения в выходных аудио усилителях двухтактной связи класса В и аппаратуре общего назначения.

Характерные особенности

• Высокий коллекторный ток: I_C до 1,5 А.
• Высокая рассеиваемая мощность: P_C до 2 Вт при T_C = 25°C.
• Комплементарная пара: транзистор S8550.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре среды T_a=25°C

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	VCBO	40
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	VCEO	25
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	VEBO	6
Ток коллектора, А	IC	1,5
Рассеиваемая мощность, Вт	PC	1
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	Tstg	-65…+150

Электрические параметры (при T_a = 25°C)

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Ток коллектора выключения, мкА	ICBO	UCB = 35 В В, IE = 0	≤ 0,1
Ток эмиттера выключения, мкА	IEBO	UEB = 6 В, IC = 0	≤ 0,1
Напряжение пробоя коллектор-база, В	UCBO	IC = 100 мкА, IE = 0	≥ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В	UCEO	IC = 2 мА, IB = 0	≥ 25
Напряжение пробоя база-эмиттер, В	UEBO	IE = 100 мкА, IC = 0	≥ 6
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat)	IC = 0,8 А, IB = 0,08 А	≤ 0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat)	IC = 0,8 А, IB = 0,08 А	≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току	hFE (1)	UCE = 1 В, IC = 0,005 мА	135
	hFE (2)	UCE = 1 В, IC = 0,1 мА	160
	hFE (3)	UCE = 1 В, IC = 0,8 мА	110
Частота среза, МГц	fT	UCE = 10 В, IC = 0,05 мА	190
Выходная емкость, pF	Cob	UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц	9

٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра h_FE на группы B, C, D в пределах указанного диапазона. См. таблицу.

Классификация	B	C	D
hFE (2)	85…160	120…200	160…300

Модификации и маркировка транзистора S8050

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус	Маркировка
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92	—
GS8050T	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	45	TO-92	—
GSTSS8050	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85	TO-92	—
MPS8050	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92	—
S8050A/B/C/D/G	0,625	40	25	6	0,8/0,5	150	100/150	9	TO-92	—
S8050T	0,625	40	25	6	0,5	150	150	—	85	TO-92	—
SPS8050	0,625	15	12	6,5	1,5	150	260	5	200	TO-92	—
SS8050/C/D/G	1	40	25	5	1,5	150	100	—	TO-92	—
SS8050T	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85	TO-92	—
STS8050	0,625	30	25	6	0,8	150	120	19	85	TO-92	—
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L	0,2	40	25	5	1,5	150	100	15	Y1
S8050W	0,25	40	25	6	0,8	150	100	9	85	Y1
SS8050W	0,2	40	25	5	1,5	150	100	—	120	Y1
GSTSS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	100	—	100	SOT-23	1HA
MMSS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	SOT-23	Y1
MPS8050S	0,35	40	25	6	1,5	150	190	—	85	SOT-23	—
MPS8050SC	0,35	40	25	5	1,2	150	150	—	SOT-23	—
MS8050-H/L	0,2	40	25	6	0,8	150	150	—	SOT-23	Y11
S8050	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23	—
S8050M-/B/C/D	0,45	40	25	6	0,8	150	100	9	SOT-23	HY3B/C/D
SS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	150	—	120	SOT-23	KEY
KST8050D	0,25	50	50	6	1,2	150	100	—	SOT-23	Y1C, Y1D
KST8050M	0,3	40	25	6	0,8	150	150	—	SOT-23	Y11
KST8050X	0,3	40	20	5	1,5	150	100	20	SOT-23	Y1+
KST9013	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	SOT-23	J3
KST9013C	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	SOT-23	J3Y
S8050LT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23	J3Y
MMS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	SOT-23	J3Y
DMBT8050	0,3	40	25	5	0,8	150	100	—	120	SOT-23	J3Y
KST8050S	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	SOT-23	J3Y
KTD1304S	0,2	25	20	12	0,3	150	50	10	SOT-23	J3Y
KTD1304	0,2	25	20	12	0,3	150	60	—	SOT-23	J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра h_FE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

Модель	PC Ta = 25°C	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г	1	40	25	6	0,1	150	100	1,7	45…630	TO-92
КТ6114 А/Б/В	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60…1000	TO-92
КТ968 В	4	300	200	5	0,1	150	90	2,8	35…220	TO-39

Зарубежное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
3DG8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
BC517S	0,625	40	30	10	1	150	200	—	33000	TO-92
BTN8050A3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	6	160	TO-92
BTN8050BA3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	—	160	TO-92
CX908B/C/D	0,625	40	25	6	1	150	100	—	120…260	TO-92
KTC3203	0,625	—	30	—	0,8	150	190	—	100	TO-92
KTC3211	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92
KTS8050	0,625	—	25	—	0,8	175	—	—	100	TO-92
M8050-C/D	0,625	40	25	6	—	150	150	—	120…160	TO-92
S8050	0,3	409	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
8050HQLT1	0,3	40	25	5	1,5	150	—	—	150	SOT-23
8050QLT1	0,3	40	25	5	0,8	150	—	—	150	SOT-23
8050SLT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
CHT9013GP	0,3	45	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
F8050HPLG	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
KTC9013SC	0,35	40	30	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
MMBT8050D	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
MMS9013-H/L	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
NSS40201L	0,54	40	25	—	4	150	150	—	120	SOT-23
NSS40201LT1G	0,54	40	40	6	2	—	150	—	200	SOT-23
NSV40201LT1G	0,54	40	40	6	2	150	150	—	200	SOT-23
PBSS4140T	0,3	40	40	5	1	150	150	—	300	SOT-23
S9013	0,3	40	25	5	0,8	150	150	—	120	SOT-23
ZXTN2040F	0,35	—	40	—	1	—	150	—	300	SOT-23
ZXTN25040DFL	0,35	—	40	—	1,5	—	190	—	300	SOT-23
ZXTN649F	0,5	—	25	—	3	—	—	—	200	SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах (управления) базы I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 3. Характеристика передачи транзистора. Зависимость выходного тока (тока коллектора I_C) от входного напряжения (управления) база-эмиттер U_BE.

Зависимость снята при напряжении коллектор — эмиттер U_CE = 1 В.

Рис. 4. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и эмиттер-база U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы I_C/I_B = 10.

Рис. 5. Изменение полосы пропускания (частоты среза) транзистора f_T при возрастании коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 10 В.

Рис. 6. Зависимость изменения выходной емкости (коллекторного перехода) C_ob от приложенного напряжения коллектор-база U_CB при непроводящей коллекторной цепи I_E = 0.

Частота процесса измерения составляет 1 МГц.

Источник