Расшифруйте названия полупроводниковых приборов 2п145в

Расшифруйте названия полупроводниковых приборов 2п145в

На данный момент в нашей стране используется система обозначения полупроводниковых приборов, установленная отраслевым стандартом ОСТ 11.336.919-81. Согласно данной системе устанавливается система классификации и обозначений состоящая из пяти элементов.

Первый элемент (буква или цифра) — обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Для приборов общегражданского применения используются буквы Г, К, А и И, являющиеся начальными буквами в названии полупроводникового материала. Для приборов специального применения (более высокие требования при испытаниях, например выше температура,) вместо этих букв используются цифры от 1 до 4:

Исходный материал Обозначение
Германий Г или 1
Кремний К или 2
Соединения галлия (например, арсенид галлия) А или 3
Соединения индия (например, фосфид индия) И или 4

Второй элемент – буква, обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия (таблица ниже).

Третий элемент – цифра, в обозначении полупроводниковых приборов, определяет основные функциональные возможности прибора. У различных подклассов приборов наиболее характерные эксплутационные параметры (функциональные возможности) различные. В таблице ниже приведены значения цифр в третьем элементе условных обозначений для различного класса полупроводниковых приборов.

Подкласс приборов Основные функциональные возможности прибора
Наименование Обозначение Наименование Обозначение
СВЧ диоды А смесительные
детекторные
модуляторные
параметрические
переключательные и ограничительные
умножительные и настроечные
генераторные
1
2
3
4
5
6
7
Варикапы В Подстроечные
Умножительные (варакторы)
1
2
Генераторы шума Г Низкочастотные
Высокочастотные
1
2
Диоды выпрямительные, универсальные, импульсные Д Диоды выпрямительные с прямым током менее 0.3 А 1
Диоды выпрямительные с прямым током 0.3-10 А 2
Диоды прочие (магнитодиоды, термодиоды, и др.) 3
Диоды импульсные, с временем восстановления более 500 нс 4
Диоды импульсные, с временем восстановления 150-500 нс 5
Диоды импульсные, с временем восстановления 30-150 нс 6
Диоды импульсные, с временем восстановления 5-30 нс 7
Диоды импульсные, с временем восстановления 1-5 нс 8
Диоды импульсные, с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс 9
Туннельные и обращённые диоды И Усилительные
Генераторные
Переключательные
Обращённые
1
2
3
4
Излучающие оптоэлектронные приборы Л Инфракрасные излучающие диоды
Инфракрасные излучающие модули
Светоизлучающие диоды
Знаковые индикаторы
Знаковые табло
Шклаы
Экраны
1
2
3
4
5
6
7
Тиристоры диодные Н
Оптопары О Резисторные
Диодные
Тиристорные
Транзисторные
Р
Д
У
Т
Транзисторы полевые П Низкой частоты (Fгр 30 МГц), мощностью не более 0.3 Вт 3
Низкой частоты (Fгр 30 МГц), мощность 0.3-1.5 Вт 6
Низкой частоты (Fгр 1.5 Вт 7
Средней частоты (Fгр=3-30 МГц), мощность >1.5 Вт 8
ВЧ и СВЧ (Fгр>30 МГц), мощность >1.5 Вт 9
Стабилитроны С Мощностью менее 0.3 Вт, с напряжением стабилизации менее 10 В 1
Мощностью менее 0.3 Вт, с напряжением стабилизации 10-100 В 2
Мощностью менее 0.3 Вт, с напряжением стабилизации более 100 В 3
Мощностью 3-5 Вт, с напряжением стабилизации менее 10 В 4
Мощностью 3-5 Вт, с напряжением стабилизации 10-100 В 5
Мощностью 3-5 Вт, с напряжением стабилизации более 100 В 6
Мощностью 5-10 Вт, с напряжением стабилизации менее 10 В 7
Мощностью 5-10 Вт, с напряжением стабилизации 10-100 В 8
Мощностью 5-10 Вт, с напряжением стабилизации более 100 В 9
Транзисторы биполярные Т Низкой частоты (Fгр 30 МГц), мощностью не более 0.3 Вт 3
Низкой частоты (Fгр 30 МГц), мощность 0.3-1.5 Вт 6
Низкой частоты (Fгр 1.5 Вт 7
Средней частоты (Fгр=3-30 МГц), мощность >1.5 Вт 8
ВЧ и СВЧ (Fгр>30 МГц), мощность >1.5 Вт 9
Тиристоры триодные У Незапираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии менее 0.3 А (с максимальным импульсным током менее 15 А) 1
Незапираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии 0.3-10 А (с максимальным импульсным током 15-100 А) 2
Незапираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А (с максимальным импульсным током более 100 А) 7
Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии менее 0.3 А (с максимальным импульсным током менее 15 А)
Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии 0.3-10 А (с максимальным импульсным током 15-100 А)
Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А (с максимальным импульсным током более 100 А)
Симметричные, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии менее 0.3 А (с максимальным импульсным током менее 15 А) 5
Симметричные, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии 0.3-10 А (с максимальным импульсным током 15-100 А) 6
Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А (с максимальным импульсным током более 100 А) 9
Выпрямительные столбы и блоки Ц Выпрямительные столбы со средним значением прямого тока не более 0.3 А 1
Выпрямительные столбы со средним значением прямого тока от 0.3 до 10 А 2
Выпрямительные блоки со средним значением прямого тока не более 0.3 А 3
Выпрямительные блоки со средним значением прямого тока более 0.3 А 4

Четвертый элемент – две либо три цифры, означает порядковый номер технологической разработки, и изменяется от 01 до 999.

Пятый элемент – буква, в буквенно-цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.

Источник

Задание 2(Работа со справочной литературой)

1. Расшифруйте названия полупроводниковых приборов: КТ315Б, 2П145В, 1Т953Г

2. Найдите по справочнику и определите структуру транзистора (p-n-p или n-p-n): КТ315, ГТ705

3. Найдите напряжение пробоя транзистора: КТ805А

4. Найдите ток пробоя транзистора: КТ814В

5. Запишите максимальную мощность, рассеиваемую транзистором: 2Т328Б

6. Запишите основные параметры, имеющиеся в справочнике, которыми характеризуются транзисторы, указанные ниже: ГТ404А

7. Расшифруйте названия полупроводниковых приборов: 2П280В, КТ487Д, 1Т876Е

8. Найдите по справочнику и определите структуру транзистора (p-n-p или n-p-n): КТ361, ГТ701

9. Найдите напряжение пробоя транзистора: КТ803А

10. Найдите ток пробоя транзистора: ГТ403Д

11. Запишите максимальную мощность, рассеивамую транзистором: ГТ328А

12. Запишите основные параметры, имеющиеся в справочнике, которыми характеризуются транзисторы, указанные ниже: КП303Г

13. Расшифруйте названия полупроводниковых приборов: КТ361Г, 1Т979Д, КП579А

14. Найдите по справочнику и определите структуру транзистора (p-n-p или n-p-n): КТ608, КТ805

15. Найдите напряжение пробоя транзистора: КТ814Б

16. Найдите ток пробоя транзистора: ГТ404Ж

17. Запишите максимальную мощность, рассеиваемую транзистором: КТ373Б

18. Запишите основные параметры, имеющиеся в справочнике, которыми характеризуются транзисторы, указанные ниже: ГТ705А

19. Расшифруйте названия полупроводниковых приборов: 2П479Е, КТ186Е, ГТ765Е

20. Найдите по справочнику и определите структуру транзистора (p-n-p или n-p-n): ГТ404, КТ814

21. Найдите напряжение пробоя транзистора: ГТ405Б

22. Найдите ток пробоя транзистора: КТ815Г

23. Запишите максимальную мощность, рассеиваемую транзистором: ГТ346А

24. Запишите основные параметры, имеющиеся в справочнике, которыми характеризуются транзисторы, указанные ниже: КП307А

Провести электрический расчет схемы автоколебательного симметричного мультивибратора

Исходные данные

Вариант Тип транзисторов VT1 и VT2 Вариант Тип транзисторов VT1 и VT2 Вариант Тип транзисторов VT1 и VT2
КТ313А КТ373В КТ6127
КТ604А КТ360А КТ632
КТ629А КТ360Б КТ638
КТ331А КТ361Д КТ680
КТ805А КТ208 КТ681
КТ815Г КТ209 КТ698
КТ361А КТ313 КП103
КТ803А КТ326 КП364*

Результатом работы являются:

  1. Расчеты;
  2. Схема мультивибратора;
  3. Временная диаграмма работы схемы Uвых(t), содержащая не менее двух периодов с рассчитанными характеристиками.

Следующие исходные данные нужно взять из справочника по транзисторам:

Максимально допустимое напряжение коллектор-база UКБдоп.;

Максимально допустимый ток коллектора IК доп.

1. Найдем максимально допустимое напряжение питания ЕК

2. Найдем Максимальную частоту колебаний мультивибратора fmax

3. Найдем амплитуду импульсов Um для максимально допустимого напряжения питания

4. Найдем сопротивление коллекторного резистора RК;

Выберем значение сопротивления RК из промежутка [RК min ; RК max]. Желательно круглое число (кратное 10, 100). RК=

5. Найдем сопротивление базового резистора RБ (β=100);

6. Найдем период колебаний мультивибратора T;

7. Найдем минимальную длительность импульсов tИ;

8. Найдем емкость хронирующих конденсаторов для этой минимальной длительности. Из формулы для периода Т=1,4∙RБC найдем емкости конденсаторов C1 и C2:

Для наглядного представления результатов практической работы необходимо:

1. Начертить схему мультивибратора с указанными номиналами элементов и типами транзисторов. Так как по заданию схема мультивибратора симметричная, RК1= RК2= RК, RБ1= RБ2= RБ.

2. Начертить временную диаграмму работы схемы Uвых(t), содержащую не менее двух периодов с рассчитанными характеристиками (сигнал на выходе прямоугольной формы, обозначить на диаграмме амплитуду импульсов Um, период колебаний мультивибратора T, длительность импульсов tИ).

1. Многокаскадные усилители.

2. Классификация генераторов. Мультивибратор, одновибратор. Схема, работа.

3. Генератор линейно-изменяющегося напряжения. Принцип действия, применение.

4. Прямое и обратное включение p-n-переходов. Вольтамперная характеристика, пробой, его виды

5. Классификация тиристоров, их условные обозначения

6. Классификация выпрямителей. Принцип работы однофазных выпрямителей, временные диаграммы токов и напряжений

7. Диоды Шоттки, туннельные и обращенные диоды, диоды Ганна. Назначение, устройство, принцип работы, характеристики, параметры, условные обозначения.

8. Устройство, принцип действия диодных и триодных тиристоров, их характеристики и параметры

9. Оптроны, составляющие их элементы. Условное обозначение, классификация, область применения.

10. Двухполупериодная схема выпрямления с выводом от средней точкивторичной обмотки трансформатора.

11. Устройство, принцип действия и условные обозначения газоразрядных, жидкокристаллических, электролюминесцентных индикаторов.

12. Фильтры с пассивными элементами: емкостные, индуктивные, их принцип работы. Коэффициенты пульсации и сглаживания

13. Классификация. Принцип работы управляемых выпрямителей на примере однофазной схемы. Временные диаграммы.

14. Полевые транзисторы: типы, схемы включения, принцип работы, характеристики, параметры, условные обозначения

15. Параметры, характеристика , классификация усилителей, режим работы. Графический анализ усилительного каскада .

16. Общая характеристика импульсных устройств, параметры импульсных сигналов. Диодные и транзисторные электронные ключи.

17. Мостовая схема выпрямления

18. Принцип работы параметрического и компенсационного стабилизаторов напряжения, принцип работы бареттера.

19. Типы генераторов гармонических колебаний. Условия самовозбуждения автогенераторов. Принцип работы LC, RС автогенераторов.

20. Усилители мощности с бестрансформаторным выходом и в интегральном исполнении.

21. Полупроводниковые диоды: выпрямительные, стабилитроны, туннельные, фотодиоды, светодиоды, варикапы. Конструкция, основные характеристики и параметры, условные обозначения

22. Инверторы, ведомые сетью, автономные инверторы. Схемы, принцип действия. Применение инверторов тока и напряжения.

23. схема выпрямления с удвоением напряжения.

24. Биполярные транзисторы: устройство, принцип действия, характеристики, параметры, условные обозначения, схемы включения

Источник

Читайте также:  Прибор по проверке антенных усилителей
Оцените статью
Электроника