Расшифруйте названия полупроводниковых приборов 2п145в

На данный момент в нашей стране используется система обозначения полупроводниковых приборов, установленная отраслевым стандартом ОСТ 11.336.919-81. Согласно данной системе устанавливается система классификации и обозначений состоящая из пяти элементов.

Первый элемент (буква или цифра) — обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Для приборов общегражданского применения используются буквы Г, К, А и И, являющиеся начальными буквами в названии полупроводникового материала. Для приборов специального применения (более высокие требования при испытаниях, например выше температура,) вместо этих букв используются цифры от 1 до 4:

Исходный материал	Обозначение
Германий	Г или 1
Кремний	К или 2
Соединения галлия (например, арсенид галлия)	А или 3
Соединения индия (например, фосфид индия)	И или 4

Второй элемент – буква, обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия (таблица ниже).

Третий элемент – цифра, в обозначении полупроводниковых приборов, определяет основные функциональные возможности прибора. У различных подклассов приборов наиболее характерные эксплутационные параметры (функциональные возможности) различные. В таблице ниже приведены значения цифр в третьем элементе условных обозначений для различного класса полупроводниковых приборов.

Подкласс приборов		Основные функциональные возможности прибора
Наименование	Обозначение	Наименование	Обозначение
СВЧ диоды	А	смесительные детекторные модуляторные параметрические переключательные и ограничительные умножительные и настроечные генераторные	1 2 3 4 5 6 7
Варикапы	В	Подстроечные Умножительные (варакторы)	1 2
Генераторы шума	Г	Низкочастотные Высокочастотные	1 2
Диоды выпрямительные, универсальные, импульсные	Д	Диоды выпрямительные с прямым током менее 0.3 А	1
		Диоды выпрямительные с прямым током 0.3-10 А	2
		Диоды прочие (магнитодиоды, термодиоды, и др.)	3
		Диоды импульсные, с временем восстановления более 500 нс	4
		Диоды импульсные, с временем восстановления 150-500 нс	5
		Диоды импульсные, с временем восстановления 30-150 нс	6
		Диоды импульсные, с временем восстановления 5-30 нс	7
		Диоды импульсные, с временем восстановления 1-5 нс	8
		Диоды импульсные, с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс	9
Туннельные и обращённые диоды	И	Усилительные Генераторные Переключательные Обращённые	1 2 3 4
Излучающие оптоэлектронные приборы	Л	Инфракрасные излучающие диоды Инфракрасные излучающие модули Светоизлучающие диоды Знаковые индикаторы Знаковые табло Шклаы Экраны	1 2 3 4 5 6 7
Тиристоры диодные	Н
Оптопары	О	Резисторные Диодные Тиристорные Транзисторные	Р Д У Т
Транзисторы полевые	П	Низкой частоты (F_гр 30 МГц), мощностью не более 0.3 Вт	3
		Низкой частоты (F_гр 30 МГц), мощность 0.3-1.5 Вт	6
		Низкой частоты (F_гр 1.5 Вт	7
		Средней частоты (F_гр=3-30 МГц), мощность >1.5 Вт	8
		ВЧ и СВЧ (F_гр>30 МГц), мощность >1.5 Вт	9
		Стабилитроны	С	Мощностью менее 0.3 Вт, с напряжением стабилизации менее 10 В	1
				Мощностью менее 0.3 Вт, с напряжением стабилизации 10-100 В	2
				Мощностью менее 0.3 Вт, с напряжением стабилизации более 100 В	3
				Мощностью 3-5 Вт, с напряжением стабилизации менее 10 В	4
Мощностью 3-5 Вт, с напряжением стабилизации 10-100 В	5
Мощностью 3-5 Вт, с напряжением стабилизации более 100 В	6
Мощностью 5-10 Вт, с напряжением стабилизации менее 10 В	7
Мощностью 5-10 Вт, с напряжением стабилизации 10-100 В	8
Мощностью 5-10 Вт, с напряжением стабилизации более 100 В	9
Транзисторы биполярные	Т	Низкой частоты (F_гр 30 МГц), мощностью не более 0.3 Вт	3
		Низкой частоты (F_гр 30 МГц), мощность 0.3-1.5 Вт	6
		Низкой частоты (F_гр 1.5 Вт	7
		Средней частоты (F_гр=3-30 МГц), мощность >1.5 Вт	8
		ВЧ и СВЧ (F_гр>30 МГц), мощность >1.5 Вт	9
		Тиристоры триодные	У	Незапираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии менее 0.3 А (с максимальным импульсным током менее 15 А)	1
				Незапираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии 0.3-10 А (с максимальным импульсным током 15-100 А)	2
				Незапираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А (с максимальным импульсным током более 100 А)	7
				Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии менее 0.3 А (с максимальным импульсным током менее 15 А)
Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии 0.3-10 А (с максимальным импульсным током 15-100 А)
Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А (с максимальным импульсным током более 100 А)
Симметричные, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии менее 0.3 А (с максимальным импульсным током менее 15 А)	5
Симметричные, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии 0.3-10 А (с максимальным импульсным током 15-100 А)	6
Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А (с максимальным импульсным током более 100 А)	9
Выпрямительные столбы и блоки	Ц	Выпрямительные столбы со средним значением прямого тока не более 0.3 А	1
		Выпрямительные столбы со средним значением прямого тока от 0.3 до 10 А	2
		Выпрямительные блоки со средним значением прямого тока не более 0.3 А	3
		Выпрямительные блоки со средним значением прямого тока более 0.3 А	4

Четвертый элемент – две либо три цифры, означает порядковый номер технологической разработки, и изменяется от 01 до 999.

Пятый элемент – буква, в буквенно-цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.

Источник

Задание 2(Работа со справочной литературой)

1. Расшифруйте названия полупроводниковых приборов: КТ315Б, 2П145В, 1Т953Г

2. Найдите по справочнику и определите структуру транзистора (p-n-p или n-p-n): КТ315, ГТ705

3. Найдите напряжение пробоя транзистора: КТ805А

4. Найдите ток пробоя транзистора: КТ814В

5. Запишите максимальную мощность, рассеиваемую транзистором: 2Т328Б

6. Запишите основные параметры, имеющиеся в справочнике, которыми характеризуются транзисторы, указанные ниже: ГТ404А

7. Расшифруйте названия полупроводниковых приборов: 2П280В, КТ487Д, 1Т876Е

8. Найдите по справочнику и определите структуру транзистора (p-n-p или n-p-n): КТ361, ГТ701

9. Найдите напряжение пробоя транзистора: КТ803А

10. Найдите ток пробоя транзистора: ГТ403Д

11. Запишите максимальную мощность, рассеивамую транзистором: ГТ328А

12. Запишите основные параметры, имеющиеся в справочнике, которыми характеризуются транзисторы, указанные ниже: КП303Г

13. Расшифруйте названия полупроводниковых приборов: КТ361Г, 1Т979Д, КП579А

14. Найдите по справочнику и определите структуру транзистора (p-n-p или n-p-n): КТ608, КТ805

15. Найдите напряжение пробоя транзистора: КТ814Б

16. Найдите ток пробоя транзистора: ГТ404Ж

17. Запишите максимальную мощность, рассеиваемую транзистором: КТ373Б

18. Запишите основные параметры, имеющиеся в справочнике, которыми характеризуются транзисторы, указанные ниже: ГТ705А

19. Расшифруйте названия полупроводниковых приборов: 2П479Е, КТ186Е, ГТ765Е

20. Найдите по справочнику и определите структуру транзистора (p-n-p или n-p-n): ГТ404, КТ814

21. Найдите напряжение пробоя транзистора: ГТ405Б

22. Найдите ток пробоя транзистора: КТ815Г

23. Запишите максимальную мощность, рассеиваемую транзистором: ГТ346А

24. Запишите основные параметры, имеющиеся в справочнике, которыми характеризуются транзисторы, указанные ниже: КП307А

Провести электрический расчет схемы автоколебательного симметричного мультивибратора

Исходные данные

Вариант	Тип транзисторов VT1 и VT2	Вариант	Тип транзисторов VT1 и VT2	Вариант	Тип транзисторов VT1 и VT2
КТ313А	КТ373В	КТ6127
КТ604А	КТ360А	КТ632
КТ629А	КТ360Б	КТ638
КТ331А	КТ361Д	КТ680
КТ805А	КТ208	КТ681
КТ815Г	КТ209	КТ698
КТ361А	КТ313	КП103
КТ803А	КТ326	КП364*

Результатом работы являются:

Расчеты;
Схема мультивибратора;
Временная диаграмма работы схемы U_вых(t), содержащая не менее двух периодов с рассчитанными характеристиками.

Следующие исходные данные нужно взять из справочника по транзисторам:

Максимально допустимое напряжение коллектор-база U_КБдоп_.;

Максимально допустимый ток коллектора I_{К доп}.

1. Найдем максимально допустимое напряжение питания Е_К

2. Найдем Максимальную частоту колебаний мультивибратора f_max

3. Найдем амплитуду импульсов U_m для максимально допустимого напряжения питания

4. Найдем сопротивление коллекторного резистора R_К;

Выберем значение сопротивления R_К из промежутка [R_К _min ; R_К _max]. Желательно круглое число (кратное 10, 100). R_К=

5. Найдем сопротивление базового резистора R_Б (β=100);

6. Найдем период колебаний мультивибратора T;

7. Найдем минимальную длительность импульсов t_И;

8. Найдем емкость хронирующих конденсаторов для этой минимальной длительности. Из формулы для периода Т=1,4∙R_БC найдем емкости конденсаторов C1 и C2:

Для наглядного представления результатов практической работы необходимо:

1. Начертить схему мультивибратора с указанными номиналами элементов и типами транзисторов. Так как по заданию схема мультивибратора симметричная, R_К₁= R_К₂= R_К, R_Б₁= R_Б₂= R_Б.

2. Начертить временную диаграмму работы схемы U_вых(t), содержащую не менее двух периодов с рассчитанными характеристиками (сигнал на выходе прямоугольной формы, обозначить на диаграмме амплитуду импульсов U_m, период колебаний мультивибратора T, длительность импульсов t_И).

1. Многокаскадные усилители.

2. Классификация генераторов. Мультивибратор, одновибратор. Схема, работа.

3. Генератор линейно-изменяющегося напряжения. Принцип действия, применение.

4. Прямое и обратное включение p-n-переходов. Вольтамперная характеристика, пробой, его виды

5. Классификация тиристоров, их условные обозначения

6. Классификация выпрямителей. Принцип работы однофазных выпрямителей, временные диаграммы токов и напряжений

7. Диоды Шоттки, туннельные и обращенные диоды, диоды Ганна. Назначение, устройство, принцип работы, характеристики, параметры, условные обозначения.

8. Устройство, принцип действия диодных и триодных тиристоров, их характеристики и параметры

9. Оптроны, составляющие их элементы. Условное обозначение, классификация, область применения.

10. Двухполупериодная схема выпрямления с выводом от средней точкивторичной обмотки трансформатора.

11. Устройство, принцип действия и условные обозначения газоразрядных, жидкокристаллических, электролюминесцентных индикаторов.

12. Фильтры с пассивными элементами: емкостные, индуктивные, их принцип работы. Коэффициенты пульсации и сглаживания

13. Классификация. Принцип работы управляемых выпрямителей на примере однофазной схемы. Временные диаграммы.

14. Полевые транзисторы: типы, схемы включения, принцип работы, характеристики, параметры, условные обозначения

15. Параметры, характеристика , классификация усилителей, режим работы. Графический анализ усилительного каскада .

16. Общая характеристика импульсных устройств, параметры импульсных сигналов. Диодные и транзисторные электронные ключи.

17. Мостовая схема выпрямления

18. Принцип работы параметрического и компенсационного стабилизаторов напряжения, принцип работы бареттера.

19. Типы генераторов гармонических колебаний. Условия самовозбуждения автогенераторов. Принцип работы LC, RС автогенераторов.

20. Усилители мощности с бестрансформаторным выходом и в интегральном исполнении.

21. Полупроводниковые диоды: выпрямительные, стабилитроны, туннельные, фотодиоды, светодиоды, варикапы. Конструкция, основные характеристики и параметры, условные обозначения

22. Инверторы, ведомые сетью, автономные инверторы. Схемы, принцип действия. Применение инверторов тока и напряжения.

23. схема выпрямления с удвоением напряжения.

24. Биполярные транзисторы: устройство, принцип действия, характеристики, параметры, условные обозначения, схемы включения

Источник