Кв107а расшифровка маркировки полупроводникового прибора

На данный момент в нашей стране используется система обозначения полупроводниковых приборов, установленная отраслевым стандартом ОСТ 11.336.919-81. Согласно данной системе устанавливается система классификации и обозначений состоящая из пяти элементов.

Первый элемент (буква или цифра) — обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Для приборов общегражданского применения используются буквы Г, К, А и И, являющиеся начальными буквами в названии полупроводникового материала. Для приборов специального применения (более высокие требования при испытаниях, например выше температура,) вместо этих букв используются цифры от 1 до 4:

Исходный материал	Обозначение
Германий	Г или 1
Кремний	К или 2
Соединения галлия (например, арсенид галлия)	А или 3
Соединения индия (например, фосфид индия)	И или 4

Второй элемент – буква, обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия (таблица ниже).

Третий элемент – цифра, в обозначении полупроводниковых приборов, определяет основные функциональные возможности прибора. У различных подклассов приборов наиболее характерные эксплутационные параметры (функциональные возможности) различные. В таблице ниже приведены значения цифр в третьем элементе условных обозначений для различного класса полупроводниковых приборов.

Подкласс приборов		Основные функциональные возможности прибора
Наименование	Обозначение	Наименование	Обозначение
СВЧ диоды	А	смесительные детекторные модуляторные параметрические переключательные и ограничительные умножительные и настроечные генераторные	1 2 3 4 5 6 7
Варикапы	В	Подстроечные Умножительные (варакторы)	1 2
Генераторы шума	Г	Низкочастотные Высокочастотные	1 2
Диоды выпрямительные, универсальные, импульсные	Д	Диоды выпрямительные с прямым током менее 0.3 А	1
		Диоды выпрямительные с прямым током 0.3-10 А	2
		Диоды прочие (магнитодиоды, термодиоды, и др.)	3
		Диоды импульсные, с временем восстановления более 500 нс	4
		Диоды импульсные, с временем восстановления 150-500 нс	5
		Диоды импульсные, с временем восстановления 30-150 нс	6
		Диоды импульсные, с временем восстановления 5-30 нс	7
		Диоды импульсные, с временем восстановления 1-5 нс	8
		Диоды импульсные, с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс	9
Туннельные и обращённые диоды	И	Усилительные Генераторные Переключательные Обращённые	1 2 3 4
Излучающие оптоэлектронные приборы	Л	Инфракрасные излучающие диоды Инфракрасные излучающие модули Светоизлучающие диоды Знаковые индикаторы Знаковые табло Шклаы Экраны	1 2 3 4 5 6 7
Тиристоры диодные	Н
Оптопары	О	Резисторные Диодные Тиристорные Транзисторные	Р Д У Т
Транзисторы полевые	П	Низкой частоты (F_гр 30 МГц), мощностью не более 0.3 Вт	3
		Низкой частоты (F_гр 30 МГц), мощность 0.3-1.5 Вт	6
		Низкой частоты (F_гр 1.5 Вт	7
		Средней частоты (F_гр=3-30 МГц), мощность >1.5 Вт	8
		ВЧ и СВЧ (F_гр>30 МГц), мощность >1.5 Вт	9
		Стабилитроны	С	Мощностью менее 0.3 Вт, с напряжением стабилизации менее 10 В	1
				Мощностью менее 0.3 Вт, с напряжением стабилизации 10-100 В	2
				Мощностью менее 0.3 Вт, с напряжением стабилизации более 100 В	3
				Мощностью 3-5 Вт, с напряжением стабилизации менее 10 В	4
Мощностью 3-5 Вт, с напряжением стабилизации 10-100 В	5
Мощностью 3-5 Вт, с напряжением стабилизации более 100 В	6
Мощностью 5-10 Вт, с напряжением стабилизации менее 10 В	7
Мощностью 5-10 Вт, с напряжением стабилизации 10-100 В	8
Мощностью 5-10 Вт, с напряжением стабилизации более 100 В	9
Транзисторы биполярные	Т	Низкой частоты (F_гр 30 МГц), мощностью не более 0.3 Вт	3
		Низкой частоты (F_гр 30 МГц), мощность 0.3-1.5 Вт	6
		Низкой частоты (F_гр 1.5 Вт	7
		Средней частоты (F_гр=3-30 МГц), мощность >1.5 Вт	8
		ВЧ и СВЧ (F_гр>30 МГц), мощность >1.5 Вт	9
		Тиристоры триодные	У	Незапираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии менее 0.3 А (с максимальным импульсным током менее 15 А)	1
				Незапираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии 0.3-10 А (с максимальным импульсным током 15-100 А)	2
				Незапираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А (с максимальным импульсным током более 100 А)	7
				Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии менее 0.3 А (с максимальным импульсным током менее 15 А)
Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии 0.3-10 А (с максимальным импульсным током 15-100 А)
Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А (с максимальным импульсным током более 100 А)
Симметричные, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии менее 0.3 А (с максимальным импульсным током менее 15 А)	5
Симметричные, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии 0.3-10 А (с максимальным импульсным током 15-100 А)	6
Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А (с максимальным импульсным током более 100 А)	9
Выпрямительные столбы и блоки	Ц	Выпрямительные столбы со средним значением прямого тока не более 0.3 А	1
		Выпрямительные столбы со средним значением прямого тока от 0.3 до 10 А	2
		Выпрямительные блоки со средним значением прямого тока не более 0.3 А	3
		Выпрямительные блоки со средним значением прямого тока более 0.3 А	4

Четвертый элемент – две либо три цифры, означает порядковый номер технологической разработки, и изменяется от 01 до 999.

Пятый элемент – буква, в буквенно-цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.

Источник

Варикапы отечественного производства, характеристики, справочник

Варикапы

Что представляет собой варикап

Представленный компонент является полупроводниковым диодом. Его работа основана на применении зависимости между емкостью и обратным напряжением. Важными показателями варикапа считаются добротность, рассеиваемая мощность, общая емкость и коэффициент перекрытия по ней, постоянный обратный ток и напряжение.

При помощи таких элементов производится электронная настройка контуров колебательного типа в радиоприемных устройствах и средствах связи. Для использования их опций в схему обязательно включается обратное напряжение. При его подаче на диод происходит изменение величины емкости барьера. Она может варьироваться в широких пределах, что отличает варикап от компонентов со схожими функциями.

Обозначение варикапа на схеме

За что отвечает варикап

Электронно-дырочный, или p-n переход, если к нему приложено обратное сопротивление, имеет свойства конденсатора. При изменении напряжения, изменяется и толщина p-n перехода, а значит емкость между слоями полупроводника. Сам переход выступает диэлектриком. Данное явление описывает принцип работы варикапа (varicap). Устройство используется в качестве конденсатора переменной емкости, которая зависит от напряжения на переходе. При изменении напряжения можно изменить и емкость.

Преимущества применения варикапов

Эти элементы используются там, где нужно изменять емкость. Чаще всего они встречаются в схемах приборов, принимающих радиосигналы. Сюда относятся телевизионные тюнеры и традиционные радиоприемники. Наиболее ярким примером действия варикапа является опция «автопоиск каналов», давно ставшая обязательной в современных телевизорах. Разрабатываются варикапы на основании диодов, но по сути они являются конденсаторами. Их основными положительными качествами выступают:

низкий уровень потерь электроэнергии;
незначительный коэффициент температурной емкости;
небольшая стоимость;
надежность и продолжительный срок службы.

На практике весьма успешно диоды КВ используются на предельно высоких частотах, в условиях, где емкость конденсатора достигает долей пикофарад. Благодаря им удается избежать изменений частоты колебательного контура, что недопустимо для оборудования. Существует несколько видов варикапов. Помимо обычных компонентов, выпускаются сдвоенные, а также строенные аналоги, которые соединены одним катодом. Найти можно и классические сборки. Это корпуса с несколькими варикапами, отличающиеся отсутствием электрической связи.

Варикап.

Область применения

Работа варикапа актуальна при перестройке частоты узлов в электроаппаратуре. Устройства используются в частотозадающих электронных цепях, поскольку позволяют быстро и просто изменять рабочую частоту. Такое возможно, благодаря изменению емкости системы, которая меняется при изменении управляющего напряжения. Варикапы включены в схемы радиоприемников и беспроводных модулей для передачи данных, используются в устройствах, где задействованы частотозависимые цепи.

Преимуществами использования полупроводниковых диодов с емкостью, зависящей от приложенного напряжения, являются:

возможность увеличения количества одновременно перестраиваемых контуров;
малые габариты узла настройки;
снижение паразитных излучений, передаваемых от гетеродинов;
возможность включения варикапов около контурных катушек;
удобное сочетание фиксированной и плавной настройки, благодаря подаче ранее установленных управляющих напряжений;
хорошее сопротивление механическому воздействию;
согласованность с цепями АПЧ;
надежность и отсутствие микрофонного эффекта;
возможность автоматизированного поиска частоты и дистанционного управления.

Принцип работы варикапа

Изменение толщины барьерного обеднённого слоя вблизи p-n-перехода при изменении обратного напряжения, приложенного к структуре
Типичная вольт-фарадная характеристика варикапа

При отсутствии внешнего приложенного к электродам напряжения в p-n-переходе существуют потенциальный барьер и внутреннее электрическое поле, возникновение которого обусловлено контактной разностью потенциалов между полупроводниками p-типа и n-типа. Нормальный режим работы варикапа — с обратным смещением. Если к диоду приложить обратное напряжение (то есть катод должен иметь положительный потенциал относительно анода), то высота этого потенциального барьера увеличится. Внешнее обратное напряжение отталкивает электроны в глубь n-области, в результате чего происходит расширение обеднённой области p-n-перехода, то есть слой полупроводника, лишенный носителей заряда и по сути являющийся диэлектриком. При увеличении обратного напряжения толщина обеднённого слоя увеличивается. Это можно представить в виде плоского конденсатора, в котором обкладками служат необеднённые зоны полупроводника и с переменной толщиной слоя диэлектрика.

В соответствии с формулой для ёмкости плоского конденсатора, с ростом расстояния между обкладками (вызванной ростом значения обратного напряжения) ёмкость p-n-перехода будет уменьшаться. Это уменьшение ограничено толщиной базы, далее которой толщина обеднённого слоя увеличиваться не может, по достижении этого минимума ёмкости с ростом обратного напряжения ёмкость не изменяется. Другой ограничивающий фактор управляемого снижения ёмкости — электрический лавинный пробой обеднённого слоя.

Так как при изменении обратного напряжения толщина диэлектрика (обеднённого слоя) изменяется в широких пределах, для характеристики изменения ёмкости варикапа от приложенного напряжения применяют динамическую Cd>
или дифференциальную ёмкость — ёмкость для малого изменения напряжения на приборе (малосигнальный параметр). Динамическая емкость определяется как :

Cd (U)=dQ/dU,(U)=dQ/dU,>
где dQ
— приращение электрического заряда конденсатора;dU
— приращение напряжения.

Дифференциальная ёмкость согласно ГОСТ Р 52002-2003 — это динамическая ёмкость для очень медленного изменения напряжения.

Зависимость динамической ёмкости от напряжения называется вольт-фарадной характеристикой и для варикапа приближённо описывается функцией:

Cd (U)=C0 (1+U/U0) n,(U)=><(1+U/U_<0>)^>>,>
где C0>
— динамическая ёмкость прибора при нулевом напряжении;U
— приложенное обратное напряжение;U0>
— некоторая константа, имеющая размерность напряжения и приближённо равная прямому напряжению p-n-перехода, при небольших прямых токах, для кремниевого прибора около 0,55 В;n
— показатель, характеризующий величину градиента концентрации легирующей примеси в p-n-переходе, для переходов с плавным, например, линейным изменением концентрации n≈0,33
, для резких переходов n≈0,5
, для переходов со ступенчатым легированием n
может достигать 2 .

Источник

Ёмкость
при U_обр=U_R1 для КВ107А, КВ107Б	От 10 до 40 пФ
при U_обр=U_R2 для КВ107В, КВ107Г	От 30 до 65 пФ
Добротность при ƒ=10 МГц, не менее	20
Постоянный обратный ток при U_{обр. макс}, не более
при 24,85°С	100 мкА
при 69,85°С	2000 мкА
при -40,15°С	1500 мкА

Постоянное обратное напряжение
КВ107А, КВ107В	1,5U_R1+2,5 В
КВ107Б, КВ107Г	1,5U_R2+4 В
Рассеиваемая мощность
от -40,15 до 49,85°С	100 мВт
при 69,85°С	80 мВт
Температура окружающей среды	От -40,15 до 69,85°С

Кв107а расшифровка маркировки полупроводникового прибора

Электроузел — ресурс, связанный с электричеством.

Облако тегов

Варикапы типа: КВ107А, КВ107Б, КВ107В, КВ107Г