Кв107а расшифровка маркировки полупроводникового прибора

Электроузел — ресурс, связанный с электричеством.

Облако тегов

Варикапы типа: КВ107А, КВ107Б, КВ107В, КВ107Г

Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные: КВ107А, КВ107Б, КВ107В, КВ107Г. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Положительный вывод маркируется красной точкой.

Масса варикапа не более 1 гр.

Ёмкость
при Uобр=UR1 для КВ107А, КВ107Б От 10 до 40 пФ
при Uобр=UR2 для КВ107В, КВ107Г От 30 до 65 пФ
Добротность при ƒ=10 МГц, не менее 20
Постоянный обратный ток при Uобр. макс, не более
при 24,85°С 100 мкА
при 69,85°С 2000 мкА
при -40,15°С 1500 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное обратное напряжение
КВ107А, КВ107В 1,5UR1+2,5 В
КВ107Б, КВ107Г 1,5UR2+4 В
Рассеиваемая мощность
от -40,15 до 49,85°С 100 мВт
при 69,85°С 80 мВт
Температура окружающей среды От -40,15 до 69,85°С

Примечание. UR1, UR2 — значения напряжений, начиная с которых уменьшается ёмкость варикапа: для КВ107А, КВ107В UR1=2÷9 В; для КВ107Б, КВ107Г UR2=6÷18 В.

Зависимость ёмкости от напряжения. (Дана зона разброса.) и зависимость добротности от напряжения. (Дана зона разброса.)

Источник

Кв107а расшифровка маркировки полупроводникового прибора

На данный момент в нашей стране используется система обозначения полупроводниковых приборов, установленная отраслевым стандартом ОСТ 11.336.919-81. Согласно данной системе устанавливается система классификации и обозначений состоящая из пяти элементов.

Первый элемент (буква или цифра) — обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Для приборов общегражданского применения используются буквы Г, К, А и И, являющиеся начальными буквами в названии полупроводникового материала. Для приборов специального применения (более высокие требования при испытаниях, например выше температура,) вместо этих букв используются цифры от 1 до 4:

Исходный материал Обозначение
Германий Г или 1
Кремний К или 2
Соединения галлия (например, арсенид галлия) А или 3
Соединения индия (например, фосфид индия) И или 4

Второй элемент – буква, обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия (таблица ниже).

Третий элемент – цифра, в обозначении полупроводниковых приборов, определяет основные функциональные возможности прибора. У различных подклассов приборов наиболее характерные эксплутационные параметры (функциональные возможности) различные. В таблице ниже приведены значения цифр в третьем элементе условных обозначений для различного класса полупроводниковых приборов.

Подкласс приборов Основные функциональные возможности прибора
Наименование Обозначение Наименование Обозначение
СВЧ диоды А смесительные
детекторные
модуляторные
параметрические
переключательные и ограничительные
умножительные и настроечные
генераторные
1
2
3
4
5
6
7
Варикапы В Подстроечные
Умножительные (варакторы)
1
2
Генераторы шума Г Низкочастотные
Высокочастотные
1
2
Диоды выпрямительные, универсальные, импульсные Д Диоды выпрямительные с прямым током менее 0.3 А 1
Диоды выпрямительные с прямым током 0.3-10 А 2
Диоды прочие (магнитодиоды, термодиоды, и др.) 3
Диоды импульсные, с временем восстановления более 500 нс 4
Диоды импульсные, с временем восстановления 150-500 нс 5
Диоды импульсные, с временем восстановления 30-150 нс 6
Диоды импульсные, с временем восстановления 5-30 нс 7
Диоды импульсные, с временем восстановления 1-5 нс 8
Диоды импульсные, с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс 9
Туннельные и обращённые диоды И Усилительные
Генераторные
Переключательные
Обращённые
1
2
3
4
Излучающие оптоэлектронные приборы Л Инфракрасные излучающие диоды
Инфракрасные излучающие модули
Светоизлучающие диоды
Знаковые индикаторы
Знаковые табло
Шклаы
Экраны
1
2
3
4
5
6
7
Тиристоры диодные Н
Оптопары О Резисторные
Диодные
Тиристорные
Транзисторные
Р
Д
У
Т
Транзисторы полевые П Низкой частоты (Fгр 30 МГц), мощностью не более 0.3 Вт 3
Низкой частоты (Fгр 30 МГц), мощность 0.3-1.5 Вт 6
Низкой частоты (Fгр 1.5 Вт 7
Средней частоты (Fгр=3-30 МГц), мощность >1.5 Вт 8
ВЧ и СВЧ (Fгр>30 МГц), мощность >1.5 Вт 9
Стабилитроны С Мощностью менее 0.3 Вт, с напряжением стабилизации менее 10 В 1
Мощностью менее 0.3 Вт, с напряжением стабилизации 10-100 В 2
Мощностью менее 0.3 Вт, с напряжением стабилизации более 100 В 3
Мощностью 3-5 Вт, с напряжением стабилизации менее 10 В 4
Мощностью 3-5 Вт, с напряжением стабилизации 10-100 В 5
Мощностью 3-5 Вт, с напряжением стабилизации более 100 В 6
Мощностью 5-10 Вт, с напряжением стабилизации менее 10 В 7
Мощностью 5-10 Вт, с напряжением стабилизации 10-100 В 8
Мощностью 5-10 Вт, с напряжением стабилизации более 100 В 9
Транзисторы биполярные Т Низкой частоты (Fгр 30 МГц), мощностью не более 0.3 Вт 3
Низкой частоты (Fгр 30 МГц), мощность 0.3-1.5 Вт 6
Низкой частоты (Fгр 1.5 Вт 7
Средней частоты (Fгр=3-30 МГц), мощность >1.5 Вт 8
ВЧ и СВЧ (Fгр>30 МГц), мощность >1.5 Вт 9
Тиристоры триодные У Незапираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии менее 0.3 А (с максимальным импульсным током менее 15 А) 1
Незапираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии 0.3-10 А (с максимальным импульсным током 15-100 А) 2
Незапираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А (с максимальным импульсным током более 100 А) 7
Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии менее 0.3 А (с максимальным импульсным током менее 15 А)
Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии 0.3-10 А (с максимальным импульсным током 15-100 А)
Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А (с максимальным импульсным током более 100 А)
Симметричные, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии менее 0.3 А (с максимальным импульсным током менее 15 А) 5
Симметричные, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии 0.3-10 А (с максимальным импульсным током 15-100 А) 6
Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А (с максимальным импульсным током более 100 А) 9
Выпрямительные столбы и блоки Ц Выпрямительные столбы со средним значением прямого тока не более 0.3 А 1
Выпрямительные столбы со средним значением прямого тока от 0.3 до 10 А 2
Выпрямительные блоки со средним значением прямого тока не более 0.3 А 3
Выпрямительные блоки со средним значением прямого тока более 0.3 А 4

Четвертый элемент – две либо три цифры, означает порядковый номер технологической разработки, и изменяется от 01 до 999.

Пятый элемент – буква, в буквенно-цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.

Источник

Варикапы отечественного производства, характеристики, справочник

Варикапы

Что представляет собой варикап

Представленный компонент является полупроводниковым диодом. Его работа основана на применении зависимости между емкостью и обратным напряжением. Важными показателями варикапа считаются добротность, рассеиваемая мощность, общая емкость и коэффициент перекрытия по ней, постоянный обратный ток и напряжение.

При помощи таких элементов производится электронная настройка контуров колебательного типа в радиоприемных устройствах и средствах связи. Для использования их опций в схему обязательно включается обратное напряжение. При его подаче на диод происходит изменение величины емкости барьера. Она может варьироваться в широких пределах, что отличает варикап от компонентов со схожими функциями.


Обозначение варикапа на схеме

За что отвечает варикап

Электронно-дырочный, или p-n переход, если к нему приложено обратное сопротивление, имеет свойства конденсатора. При изменении напряжения, изменяется и толщина p-n перехода, а значит емкость между слоями полупроводника. Сам переход выступает диэлектриком. Данное явление описывает принцип работы варикапа (varicap). Устройство используется в качестве конденсатора переменной емкости, которая зависит от напряжения на переходе. При изменении напряжения можно изменить и емкость.

Преимущества применения варикапов

Эти элементы используются там, где нужно изменять емкость. Чаще всего они встречаются в схемах приборов, принимающих радиосигналы. Сюда относятся телевизионные тюнеры и традиционные радиоприемники. Наиболее ярким примером действия варикапа является опция «автопоиск каналов», давно ставшая обязательной в современных телевизорах. Разрабатываются варикапы на основании диодов, но по сути они являются конденсаторами. Их основными положительными качествами выступают:

  • низкий уровень потерь электроэнергии;
  • незначительный коэффициент температурной емкости;
  • небольшая стоимость;
  • надежность и продолжительный срок службы.

На практике весьма успешно диоды КВ используются на предельно высоких частотах, в условиях, где емкость конденсатора достигает долей пикофарад. Благодаря им удается избежать изменений частоты колебательного контура, что недопустимо для оборудования. Существует несколько видов варикапов. Помимо обычных компонентов, выпускаются сдвоенные, а также строенные аналоги, которые соединены одним катодом. Найти можно и классические сборки. Это корпуса с несколькими варикапами, отличающиеся отсутствием электрической связи.


Варикап.

Область применения

Работа варикапа актуальна при перестройке частоты узлов в электроаппаратуре. Устройства используются в частотозадающих электронных цепях, поскольку позволяют быстро и просто изменять рабочую частоту. Такое возможно, благодаря изменению емкости системы, которая меняется при изменении управляющего напряжения. Варикапы включены в схемы радиоприемников и беспроводных модулей для передачи данных, используются в устройствах, где задействованы частотозависимые цепи.

Преимуществами использования полупроводниковых диодов с емкостью, зависящей от приложенного напряжения, являются:

  • возможность увеличения количества одновременно перестраиваемых контуров;
  • малые габариты узла настройки;
  • снижение паразитных излучений, передаваемых от гетеродинов;
  • возможность включения варикапов около контурных катушек;
  • удобное сочетание фиксированной и плавной настройки, благодаря подаче ранее установленных управляющих напряжений;
  • хорошее сопротивление механическому воздействию;
  • согласованность с цепями АПЧ;
  • надежность и отсутствие микрофонного эффекта;
  • возможность автоматизированного поиска частоты и дистанционного управления.

Принцип работы варикапа


Изменение толщины барьерного обеднённого слоя вблизи p-n-перехода при изменении обратного напряжения, приложенного к структуре
Типичная вольт-фарадная характеристика варикапа

При отсутствии внешнего приложенного к электродам напряжения в p-n-переходе существуют потенциальный барьер и внутреннее электрическое поле, возникновение которого обусловлено контактной разностью потенциалов между полупроводниками p-типа и n-типа. Нормальный режим работы варикапа — с обратным смещением. Если к диоду приложить обратное напряжение (то есть катод должен иметь положительный потенциал относительно анода), то высота этого потенциального барьера увеличится. Внешнее обратное напряжение отталкивает электроны в глубь n-области, в результате чего происходит расширение обеднённой области p-n-перехода, то есть слой полупроводника, лишенный носителей заряда и по сути являющийся диэлектриком. При увеличении обратного напряжения толщина обеднённого слоя увеличивается. Это можно представить в виде плоского конденсатора, в котором обкладками служат необеднённые зоны полупроводника и с переменной толщиной слоя диэлектрика.

В соответствии с формулой для ёмкости плоского конденсатора, с ростом расстояния между обкладками (вызванной ростом значения обратного напряжения) ёмкость p-n-перехода будет уменьшаться. Это уменьшение ограничено толщиной базы, далее которой толщина обеднённого слоя увеличиваться не может, по достижении этого минимума ёмкости с ростом обратного напряжения ёмкость не изменяется. Другой ограничивающий фактор управляемого снижения ёмкости — электрический лавинный пробой обеднённого слоя.

Так как при изменении обратного напряжения толщина диэлектрика (обеднённого слоя) изменяется в широких пределах, для характеристики изменения ёмкости варикапа от приложенного напряжения применяют динамическую Cd>
или дифференциальную ёмкость — ёмкость для малого изменения напряжения на приборе (малосигнальный параметр). Динамическая емкость определяется как :

Cd (U)=dQ/dU,(U)=dQ/dU,>
где dQ
— приращение электрического заряда конденсатора;dU
— приращение напряжения.

Дифференциальная ёмкость согласно ГОСТ Р 52002-2003 — это динамическая ёмкость для очень медленного изменения напряжения.

Зависимость динамической ёмкости от напряжения называется вольт-фарадной характеристикой и для варикапа приближённо описывается функцией:

Cd (U)=C0 (1+U/U0) n,(U)=><(1+U/U_<0>)^>>,>
где C0>
— динамическая ёмкость прибора при нулевом напряжении;U
— приложенное обратное напряжение;U0>
— некоторая константа, имеющая размерность напряжения и приближённо равная прямому напряжению p-n-перехода, при небольших прямых токах, для кремниевого прибора около 0,55 В;n
— показатель, характеризующий величину градиента концентрации легирующей примеси в p-n-переходе, для переходов с плавным, например, линейным изменением концентрации n≈0,33
, для резких переходов n≈0,5
, для переходов со ступенчатым легированием n
может достигать 2 .

Источник

Читайте также:  Как проводят контроль качества посуды реактивов приборов
Оцените статью
Электроника