Кд504а расшифровка маркировки полупроводникового прибора

КД504А + 2Д504А

В принципе, диод как диод. Ну, импульсный. И что? Но — странное дело, один вывод позолочен, а другой нет. Отличается и толщина выводов.

Судя по некоторым другим НЗППшным диодам, например стабилитронам КС..Е (2С..Е), это не единичный случай. Технологические изыски? Ответ — см. «Тайна одной золотой ноги».

Производитель — НЗПП (Новосибирский завод полупроводниковых приборов).

Справочный лист и данные из отраслевого каталога на КД504А и на 2Д504А, и заводские паспорта, на 2Д504А и КД504А.

В начале 90-х они были помещены в категорию неперспективных приборов, с рекомендацией замены на КД522Б или КД510А.

(фото Александра Стрелец)

1. Каталог полупроводниковых приборов. — Москва, ЦНИИ «Электроника», 1971.
2. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 3-е, переработ. и доп. М., «Энергия», 1972.
3. Диоды и тиристоры. Под. общ. ред. А. А. Чернышева. М., Энергия, 1976. (Массовая радиобиблиотека. Вып. 886. Справочная серия).
4. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 4-е, перераб. и доп. М., «Энергия», 1977.
5. Диоды и тиристоры/ Чернышев А.А., Иванов В.И., Галахов В.Д. и др.; Под общ. ред. А. А. Чернышева. — 2е изд., перераб. и доп. — М., Энергия, 1980. (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1005).
6. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 9-е изд., перераб. К.: Технiка, 1980.
7. Атанас Шишков. Транзистори и диоди. Кратък справочник. Второ допълнено издание. София, Държавно издателство «Техника». 1981.
8. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник/А. В. Баюков, А. Б. Гитцевич, А. А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. — М.: Энергоатомиздат, 1983.
9. Горобец А.И. и др. Справочник по конструированию радиоэлектронной аппаратуры (печатные узлы) / А.И. Горобец, А.И. Степаненко, В.М. Коронкевич. — К.: Технiка, 1985
10. Бодиловский В.Г. Полупроводниковые и электровакуумные приборы в устройствах автоматики, телемеханики и связи: Учебник для техникумов ж.-д. трансп.- 5-е изд., перераб. и доп.- М.: Транспорт, 1986.
11. Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник/А. Б. Гитцевич, А. А. Зайцев, В. В. Мокряков и др. Под ред. А. В. Голомедова. — М.: Радио и связь, 1988.
12. Диоды: Справочник/О. П. Григорьев, В. Я. Замятин, Б. В. Кондратьев, С. Л. Пожидаев.— М.: Радио и связь, 1990. — (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158)
13. Димитър Рачев. Справочник радиолюбителя. Държавно издателство «Техника». 1990.
14. Перечень неперспективных ПП и рекомендуемых замен. — Центральное конструкторское бюро «Дейтон», 1991.
15. Хрулев А. К., Черепанов В. П. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В трех томах. Том 2. — М.: ИП РадиоСофт, 1998.

Источник

Кд504а расшифровка маркировки полупроводникового прибора

На данный момент в нашей стране используется система обозначения полупроводниковых приборов, установленная отраслевым стандартом ОСТ 11.336.919-81. Согласно данной системе устанавливается система классификации и обозначений состоящая из пяти элементов.

Первый элемент (буква или цифра) — обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Для приборов общегражданского применения используются буквы Г, К, А и И, являющиеся начальными буквами в названии полупроводникового материала. Для приборов специального применения (более высокие требования при испытаниях, например выше температура,) вместо этих букв используются цифры от 1 до 4:

Исходный материал	Обозначение
Германий	Г или 1
Кремний	К или 2
Соединения галлия (например, арсенид галлия)	А или 3
Соединения индия (например, фосфид индия)	И или 4

Второй элемент – буква, обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия (таблица ниже).

Третий элемент – цифра, в обозначении полупроводниковых приборов, определяет основные функциональные возможности прибора. У различных подклассов приборов наиболее характерные эксплутационные параметры (функциональные возможности) различные. В таблице ниже приведены значения цифр в третьем элементе условных обозначений для различного класса полупроводниковых приборов.

Подкласс приборов		Основные функциональные возможности прибора
Наименование	Обозначение	Наименование	Обозначение
СВЧ диоды	А	смесительные детекторные модуляторные параметрические переключательные и ограничительные умножительные и настроечные генераторные	1 2 3 4 5 6 7
Варикапы	В	Подстроечные Умножительные (варакторы)	1 2
Генераторы шума	Г	Низкочастотные Высокочастотные	1 2
Диоды выпрямительные, универсальные, импульсные	Д	Диоды выпрямительные с прямым током менее 0.3 А	1
		Диоды выпрямительные с прямым током 0.3-10 А	2
		Диоды прочие (магнитодиоды, термодиоды, и др.)	3
		Диоды импульсные, с временем восстановления более 500 нс	4
		Диоды импульсные, с временем восстановления 150-500 нс	5
		Диоды импульсные, с временем восстановления 30-150 нс	6
		Диоды импульсные, с временем восстановления 5-30 нс	7
		Диоды импульсные, с временем восстановления 1-5 нс	8
		Диоды импульсные, с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс	9
Туннельные и обращённые диоды	И	Усилительные Генераторные Переключательные Обращённые	1 2 3 4
Излучающие оптоэлектронные приборы	Л	Инфракрасные излучающие диоды Инфракрасные излучающие модули Светоизлучающие диоды Знаковые индикаторы Знаковые табло Шклаы Экраны	1 2 3 4 5 6 7
Тиристоры диодные	Н
Оптопары	О	Резисторные Диодные Тиристорные Транзисторные	Р Д У Т
Транзисторы полевые	П	Низкой частоты (Fгр 30 МГц), мощностью не более 0.3 Вт	3
		Низкой частоты (Fгр 30 МГц), мощность 0.3-1.5 Вт	6
		Низкой частоты (Fгр 1.5 Вт	7
		Средней частоты (Fгр=3-30 МГц), мощность >1.5 Вт	8
		ВЧ и СВЧ (Fгр>30 МГц), мощность >1.5 Вт	9
		Стабилитроны	С	Мощностью менее 0.3 Вт, с напряжением стабилизации менее 10 В	1
				Мощностью менее 0.3 Вт, с напряжением стабилизации 10-100 В	2
				Мощностью менее 0.3 Вт, с напряжением стабилизации более 100 В	3
				Мощностью 3-5 Вт, с напряжением стабилизации менее 10 В	4
Мощностью 3-5 Вт, с напряжением стабилизации 10-100 В	5
Мощностью 3-5 Вт, с напряжением стабилизации более 100 В	6
Мощностью 5-10 Вт, с напряжением стабилизации менее 10 В	7
Мощностью 5-10 Вт, с напряжением стабилизации 10-100 В	8
Мощностью 5-10 Вт, с напряжением стабилизации более 100 В	9
Транзисторы биполярные	Т	Низкой частоты (Fгр 30 МГц), мощностью не более 0.3 Вт	3
		Низкой частоты (Fгр 30 МГц), мощность 0.3-1.5 Вт	6
		Низкой частоты (Fгр 1.5 Вт	7
		Средней частоты (Fгр=3-30 МГц), мощность >1.5 Вт	8
		ВЧ и СВЧ (Fгр>30 МГц), мощность >1.5 Вт	9
		Тиристоры триодные	У	Незапираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии менее 0.3 А (с максимальным импульсным током менее 15 А)	1
				Незапираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии 0.3-10 А (с максимальным импульсным током 15-100 А)	2
				Незапираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А (с максимальным импульсным током более 100 А)	7
				Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии менее 0.3 А (с максимальным импульсным током менее 15 А)
Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии 0.3-10 А (с максимальным импульсным током 15-100 А)
Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А (с максимальным импульсным током более 100 А)
Симметричные, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии менее 0.3 А (с максимальным импульсным током менее 15 А)	5
Симметричные, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии 0.3-10 А (с максимальным импульсным током 15-100 А)	6
Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А (с максимальным импульсным током более 100 А)	9
Выпрямительные столбы и блоки	Ц	Выпрямительные столбы со средним значением прямого тока не более 0.3 А	1
		Выпрямительные столбы со средним значением прямого тока от 0.3 до 10 А	2
		Выпрямительные блоки со средним значением прямого тока не более 0.3 А	3
		Выпрямительные блоки со средним значением прямого тока более 0.3 А	4

Четвертый элемент – две либо три цифры, означает порядковый номер технологической разработки, и изменяется от 01 до 999.

Пятый элемент – буква, в буквенно-цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.

Источник

Диод 2Д504А

2Д504А

2Д504А
Диоды 2Д504А кремниевые, эпитаксиальные, импульсные.
Предназначены для ограничения и модуляции импульсных сигналов в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с разнонаправленными гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом, схема соединения электродов с выводами приводится на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия: — 3.362.807ТУ.
Гарантийный срок хранения — 25 лет со дня изготовления.

Основные технические характеристики диода 2Д504А:
• Uoбp max — Максимальное постоянное обратное напряжение: 40 В;
• Inp max — Максимальный прямой ток: 300 мА;
• Unp — Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 100 мА;
• Сд — Общая емкость: 20 пФ

Основные технические характеристики диодов 2Д504А, КД504А:

Тип диода	Uобр max	Uобр имп max	Iпр max	Iпр имп max	Uпр/Iпр	Ioбр	fд max	t вос обр	Cд (при Uобр В)	Т
	В	В	мА	А	В/мА	мкА	МГц	нс	пФ	°C
2Д504А	40	—	300	2	1,2/100	2	—	—	20 (5)	-60. +125
КД504А	40	—	240	—	1,2/100	2	—	—	20 (5)	-55. +100

Условные обозначения электрических параметров диодов:

• Uoбp max — Максимальное постоянное обратное напряжение;
• Uобр имп max — Максимальное импульсное обратное напряжение;
• Inp max — Максимальный (средний) прямой ток;
• Inp имп max — Максимальный импульсный прямой ток;
• Uпр/Iпр — Постоянное прямое напряжение (Uпр) на диоде при заданном прямом токе (Iпр) через него;
• Iобр— Обратный ток диода при предельном обратном напряжении;
• fд max — Максимальная рабочая частота диода;
• tвoc обр — Время обратного восстановления;
• Сд — Общая емкость диода;
• Т — температура окружающей среды.

Источник

КД504А диод

Описание товара:

Диоды КД504А применяются в электронике для преобразования частоты, переключения электрических цепей и для исполнения некоторых других функций.’>Диод КД504А — это двухэлектродный электровакуумный, полупроводниковый или газоразрядный прибор. Проводимость односторонняя.

Диоды КД504А применяются в электронике для преобразования частоты, переключения электрических цепей и для исполнения некоторых других функций.

Описание товара

Диод КД504А — это двухэлектродный электровакуумный, полупроводниковый или газоразрядный прибор. Проводимость односторонняя.

Диоды КД504А применяются в электронике для преобразования частоты, переключения электрических цепей и для исполнения некоторых других функций.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Масса диода не более 0,7 г.

Параметры и характеристики диода КД504А:

Постоянное прямое напряжение при Iпр = 100 мА, не более:

2Д504А, КД504А при 298 К и 2Д504А при 398 К — 1,2 В
2Д504А при 213 К и КД504А при 233 К — 1,4 В
Импульсное прямое напряжение при Iпр,и = 500 мА, не более, 2Д504А при 298 К — 2,0 В

Постоянный обратный ток при Uобр = 40 В, не более:

2Д504А, КД504А при 298 К и 2Д504А при 213 К — 2 мкА
2Д504А при 398 К и КД504А при 373 К — 100 мкА
Заряд переключения, не более:

2Д504А, КД504А при Iпр = 300 мА, Uобр = 30 В — 1,5•10-8 Кл
2Д504А при Iпр = 500 мА, Uобр = 30 В — 1•10-9 Кл
Общая емкость диода при Uобр = 5 В, не более — 20 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение для 2Д504А при температуре от 213 до 398 К и для КД504А при температуре от 213 до 373 К — 40 В

Постоянный прямой ток для 2Д504А при температуре:

от 213 до 308 К — 300 мА
при 398 К — 100 мА
Средний прямой ток для КД504А при τи = 10 мкс и амплитуде импульса 2 А:

при 308 К — 160 мА
при 373 К — 80 мА
Средний выпрямленный или прямой ток для КД504А при τи 10 мкс, амплитуде импульса 1,0 А при температуре:

от 213 до 308 К — 240 мА
при 373 К — 80 мА
Импульсный прямой ток для 2Д504А при среднем токе 300 мА при 298 К и 100 мА при 398 К:

при τи = 10 мкс — 1,5 А
при τи > 10 мкс — 1,0 А
Импульсный прямой ток для 2Д504А при среднем токе 160 мА при 298 К и 80 мА при 398 К при τи = 10 мкс — 2 А

Аварийная перегрузка для КД504А при однократном импульсе тока длительностью 0,5 с и при 298 К — 1 А

Температура окружающей среды:

2Д504А — от 213 до 398 К
КД504А — от 213 до 373 К

Варианты поиска:
КД504А диод, диод КД504А, купить КД504А по низкой цене, КД504А цена, описание КД504А, КД504А’>

Описание диода КД504А

Диод КД504А — это двухэлектродный электровакуумный, полупроводниковый или газоразрядный прибор. Проводимость односторонняя.

Диоды КД504А применяются в электронике для преобразования частоты, переключения электрических цепей и для исполнения некоторых других функций.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Масса диода не более 0,7 г.

Параметры и характеристики диода КД504А:

Постоянное прямое напряжение при Iпр = 100 мА, не более:

2Д504А, КД504А при 298 К и 2Д504А при 398 К — 1,2 В
2Д504А при 213 К и КД504А при 233 К — 1,4 В
Импульсное прямое напряжение при Iпр,и = 500 мА, не более, 2Д504А при 298 К — 2,0 В

Постоянный обратный ток при Uобр = 40 В, не более:

2Д504А, КД504А при 298 К и 2Д504А при 213 К — 2 мкА
2Д504А при 398 К и КД504А при 373 К — 100 мкА
Заряд переключения, не более:

2Д504А, КД504А при Iпр = 300 мА, Uобр = 30 В — 1,5•10-8 Кл
2Д504А при Iпр = 500 мА, Uобр = 30 В — 1•10-9 Кл
Общая емкость диода при Uобр = 5 В, не более — 20 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение для 2Д504А при температуре от 213 до 398 К и для КД504А при температуре от 213 до 373 К — 40 В

Постоянный прямой ток для 2Д504А при температуре:

от 213 до 308 К — 300 мА
при 398 К — 100 мА
Средний прямой ток для КД504А при τи = 10 мкс и амплитуде импульса 2 А:

при 308 К — 160 мА
при 373 К — 80 мА
Средний выпрямленный или прямой ток для КД504А при τи 10 мкс, амплитуде импульса 1,0 А при температуре:

от 213 до 308 К — 240 мА
при 373 К — 80 мА
Импульсный прямой ток для 2Д504А при среднем токе 300 мА при 298 К и 100 мА при 398 К:

при τи = 10 мкс — 1,5 А
при τи > 10 мкс — 1,0 А
Импульсный прямой ток для 2Д504А при среднем токе 160 мА при 298 К и 80 мА при 398 К при τи = 10 мкс — 2 А

Аварийная перегрузка для КД504А при однократном импульсе тока длительностью 0,5 с и при 298 К — 1 А

Температура окружающей среды:

2Д504А — от 213 до 398 К
КД504А — от 213 до 373 К

Варианты поиска:
КД504А диод, диод КД504А, купить КД504А по низкой цене, КД504А цена, описание КД504А, КД504А

Источник