Гост в 25730 83 приборы полупроводниковые силовые общие технические условия

ГОСТ 20859.1-89
(CT СЭВ 1135-88)

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИЛОВЫЕ

Общие технические требования

Power semiconductor devices.
General technical requirements

Срок действия с 01.01.90
до 01.01.95*
_______________________________
* Ограничение срока действия снято
по протоколу N 4-93 Межгосударственного Совета
по стандартизации, метрологии и сертификации
(ИУС N 4, 1994 год). — Примечание «КОДЕКС».

1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электротехнической промышленности СССР

В.П.Белотелов, А.Н.Ильичев (руководители темы); Ю.А.Евсеев, д-р техн. наук; В.Б.Братолюбов, канд. техн. наук; В.В.Сажина

3. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 24.04.89 N 1056

5. Стандарт содержит все требования стандарта СЭВ 1135-88

В стандарт дополнительно введены термоциклические испытания, расширен ряд контрольных температур, расширен раздел модификации приборов; введены разделы «Комплектность» и «Гарантии изготовителя»; конкретизирована система обозначений; уточнена и конкретизирована система приемки и испытаний

6. Стандарт полностью соответствует международным стандартам МЭК 747-1-83, МЭК 747-2-83, МЭК 747-6-83, МЭК 147-IJ-81.

8. Ссылочные нормативно-технические документы

Обозначение НТД, на который дана ссылка

Номер пункта, раздела, приложения

4.1; 4.2; 4.5.1; 4.5.2.1; 4.5.2.2; 4.5.3; 4.7.1; 4.7.2; 4.7.3; 4.8.1; 4.8.2

1.6.1; 1.6.3; 1.14.2; 1.14.3; 1.14.4; 1.14.5; разд.7; разд.8

_____________
* На территории Российской Федерациидействует ГОСТ Р 50779.71-99. — Примечание «КОДЕКС».

Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения — диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы (далее — приборы) и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.

Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие:

1) в средах с токопроводящей пылью;

2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;

4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений.

Термины, применяемые в настоящем стандарте, и их пояснения — по ГОСТ 15133, ГОСТ 25529, ГОСТ 20332, ГОСТ 20003 и приложению 1.

1. ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ

1.1. Приборы и модули должны изготавливать в соответствии с требованиями настоящего стандарта и технических условий на приборы и модули конкретных типов по конструкторской и технологической документации, утвержденной в установленном порядке.

1.2. Внешний вид приборов и модулей должен соответствовать эталонным образцам, утвержденным в установленном порядке.

1.3. Требования к конструкции

1.3.1. Габаритно-присоединительные размеры приборов и модулей должны соответствовать требованиям ГОСТ 23900, ГОСТ 27591 и технических условий на приборы и модули конкретных типов.

1.3.2. Масса приборов и модулей не должна превышать значений, установленных в технических условиях на приборы и модули конкретных типов.

1.3.3. Герметичность приборов и модулей должна соответствовать нормам, установленным в технических условиях на приборы и модули конкретных типов.

1.3.4. Выводы электродов, включая места их присоединения к прибору и модулю, должны быть прочно закреплены и выдерживать без механических повреждений и нарушения электрического контакта механические усилия, установленные в технических условиях на приборы и модули конкретных типов.

1.3.5. Приборы таблеточной конструкции, предназначенные для эксплуатации со съемными охладителями, должны выдерживать многократную сборку с охладителями и разборку. Сборку приборов с охладителями проводят в соответствии с требованиями по монтажу и эксплуатации приборов, причем значение крутящего момента или усилия сжатия должно соответствовать нормам, установленным в технических условиях на приборы конкретных типов.

1.4. Требования к электрическим параметрам

1.4.1. Номенклатура и значения параметров и характеристик приборов должны соответствовать требованиям нормативно-технической документации на предельно допустимые параметры и характеристики и устанавливаться в технических условиях на приборы конкретных типов.

Номенклатура и значения параметров и характеристик модулей должны выбираться (в зависимости от входящих в модуль силовых полупроводниковых элементов) из нормативно-технических документов на предельно допустимые параметры и характеристики приборов и устанавливаться в технических условиях на модули конкретных типов.

1.4.1.1. Значения максимально допустимого тока (среднего, действующего, импульсного или постоянного) выбирают из ряда R 10: 10; 12,5; 16; 20; 25; 32; 40; 50; 63; 80 и 100 А. Для токов более 100 А их значения должны быть установлены умножением соответствующих значений данного ряда на 10 или 100.

1.4.1.2. Значения повторяющегося импульсного обратного напряжения, повторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии, максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер при разомкнутой цепи базы и соответствующие им классы устанавливают в соответствии с табл.1.

Источник

Гост в 25730 83 приборы полупроводниковые силовые общие технические условия

МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИЛОВЫЕ

Общие технические условия

Power semiconductor modules. General specifications

____________
* В указателе «Национальные стандарты» 2004 год — МКС 31.080.01. —
Примечание «КОДЕКС».

1 РАЗРАБОТАН Украинским научно-исследовательским институтом силовой электроники «Преобразователь» (НИИ «Преобразователь»)

ВНЕСЕН Комитетом Украины по стандартизации, метрологии и сертификации

2 ПРИНЯТ Межгосударственным Советом по стандартизации, метрологии и сертификации (протокол N 14 от 12 ноября 1998 г.)

За принятие проголосовали:

Наименование национального органа по стандартизации

Госстандарт Республики Беларусь

Госстандарт Республики Казахстан

3 Постановлением Государственного комитета Российской Федерации по стандартизации и метрологии от 11 апреля 2001 г. N 172-ст межгосударственный стандарт ГОСТ 30617-98 введен в действие непосредственно в качестве государственного стандарта Российской Федерации с 1 июля 2002 г.

4 ВЗАМЕН ГОСТ 20859.1-89 в части модулей

1 Область применения

Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули общего назначения (далее — модули), состоящие из полупроводниковых приборов и (или) структур: диодов, биполярных (в том числе составных) транзисторов, полевых транзисторов и тиристоров всех видов (далее — приборов) на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 5 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного токов различных силовых электротехнических установок.

Настоящий стандарт не распространяется на модули, работающие:

— в средах с токопроводящей пылью;

— в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;

— в условиях воздействия различных излучений, повреждающих модули.

Требования разделов 5, 6, 7 настоящего стандарта являются обязательными, требования остальных разделов являются рекомендуемыми.

2 Нормативные ссылки

В настоящем стандарте использованы ссылки на следующие стандарты:

ГОСТ 12.1.004-91 Система стандартов безопасности труда. Пожарная безопасность. Общие требования

ГОСТ 12.2.007.0-75 Система стандартов безопасности труда. Изделия электротехнические. Общие требования безопасности

ГОСТ 20.39.312-85 Комплексная система общих технических требований. Изделия электротехнические. Требования надежности

3 Определения

В настоящем стандарте применены термины с соответствующими определениями по ГОСТ 15133, ГОСТ 19095, ГОСТ 20003, ГОСТ 20332, ГОСТ 25529, а также, приведенные ниже:

мостовая схема: Двухпутевая схема соединения, содержащая только пары плечей, средние выводы которых являются выводами переменного тока, а наружные выводы с одинаковой полярностью, соединенные вместе, являются выводами постоянного тока;

полупроводниковый модуль (модуль): Совокупность двух или более структур полупроводниковых приборов, средств электрического и механического соединений, а также вспомогательных элементов системы охлаждения, при ее наличии, соединенных между собой по определенной схеме в единую конструкцию, которая с точки зрения функционального назначения, технических требований, испытаний, торговли и эксплуатации рассматривается как отдельное изделие;

беспотенциальный модуль: Модуль с изолированным (беспотенциальным) основанием, служащим для отвода тепла и крепления модуля;

потенциальный модуль: Модуль с неизолированным (потенциальным) основанием, служащим для отвода тепла и крепления модуля и являющимся электрическим (силовым) контактом.

4 Классификация

4.1 Модули подразделяют на виды:

— М — модуль беспотенциальный.

4.2 Модули подразделяют в зависимости от вида применяемых силовых полупроводниковых приборов и от вида схемы соединения силовых полупроводниковых приборов. Виды силовых полупроводниковых приборов (далее — приборов) и их обозначения приведены в таблице 1. Виды схем соединения приборов (далее — схем) и их обозначения приведены в таблице 2.

Источник

Гост в 25730 83 приборы полупроводниковые силовые общие технические условия

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Semiconductor devices. Terms and definitions

Предисловие

1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт «Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт») совместно с Акционерным обществом «Центральное конструкторское бюро «Дейтон» (АО «ЦКБ «Дейтон»)

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Изделия электронной техники, материалы и оборудование»

5 ПЕРЕИЗДАНИЕ. Сентябрь 2020 г.

Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)

Введение

Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области полупроводниковых приборов.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Нерекомендуемые к применению термины-синонимы приведены в круглых скобках после стандартизованного термина и обозначены пометкой «Нрк».

Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина во всех видах документации, входящих в сферу действия работ по стандартизации, при этом не входящая в скобки часть термина образует его краткую форму.

Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два термина, имеющие общие терминоэлементы.

В алфавитном указателе данные термины приведены отдельно с указанием номера статьи.

В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на немецком (de), английском (en) и французском (fr) языках.

Термины и определения общетехнических понятий, необходимые для понимания текста стандарта, приведены в приложении А.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы — светлым, синонимы — курсивом.

1 Область применения

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области полупроводниковых приборов.

Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы в области полупроводниковых приборов, входящих в сферу работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ

Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве и применении полупроводниковых приборов в соответствии с действующим законодательством.

2 Термины и определения

Виды полупроводниковых приборов

полупроводниковый прибор (semiconductor device): Устройство, основные электрические характеристики которого обусловлены потоком носителей зарядов внутри одного или более полупроводниковых материалов.

Источник

Государственный стандарт Союза ССР ГОСТ 20859.1-89 (СТ СЭВ 1135-88) «Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования» (утв. постановлением Госстандарта СССР от 24 апреля 1989 г. N 1056)

Power semiconductor devices. General technical requirements

Срок действия установлен с 1 января 1990 г. до 1 января 1995 г.

ГАРАНТ:

Постановлением Госстандарта России от 11 апреля 2001 г. N 172-ст взамен настоящего ГОСТа в части модулей с 1 июля 2002 г. введен в действие ГОСТ 30617-98 для применения в РФ

Ограничение срока действия настоящего ГОСТа снято протоколом МГС от 21 октября 1993 г. N 4-93 (ИУС N 4-94)

Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие:

1) в средах с токопроводящей пылью;

4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений.

1.3. Требования к конструкции

1.4. Требования к электрическим параметрам

Повторяющееся импульсное обратное напряжение, повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер при разомкнутой цепи базы, В, не менее

* Только для диодов Шоттки и быстровосстанавливающихся диодов.

** Устанавливают по согласованию с потребителем.

1.4.1.3. Группы предельно допустимых значений параметров и характеристик приборов и модулей должны соответствовать указанным в табл. 2-7.

Условные обозначения групп приборов и модулей должны соответствовать требованиям приложения 2 в зависимости от значений параметров и характеристик, указанных в табл. 2-7. (Допускается обозначение групп приборов и модулей цифровым кодом или сочетанием цифрового и буквенно-цифрового кода, как указано в табл. 2-7.)

1) Значения времени обратного восстановления для быстровосстанавливающихся диодов и соответствующие им группы устанавливают в соответствии с табл. 2.

Условное обозначение группы

Время обратного восстановления, мкс, не более

Условное обозначение группы

Время обратного восстановления, мкс, не более

Условное обозначение группы

Время обратного восстановления, мкс, не более

* Только для быстровосстанавливающихся диодов 40-го и более классов.

2) Значения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии и соответствующие им группы устанавливают в соответствии с табл. 3.

Условное обозначение группы

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс, не менее

Условное обозначение группы

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс, не менее

3) Значения критической скорости нарастания коммутационного напряжения и соответствующие им группы устанавливают в соответствии с табл. 4.

Условное обозначение группы

Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения, В/мкс, не менее

Условное обозначение группы

Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения, В/мкс, не менее

4) Значения времени включения для быстровключающихся и быстродействующих тиристоров и соответствующие им группы устанавливают в соответствии с табл. 5.

Условное обозначение группы

Время включения, мкс, не более

Условное обозначение группы

Время включения, мкс, не более

5) Значения времени выключения для быстровыключающихся и быстродействующих тиристоров и соответствующие им группы устанавливают в соответствии с табл. 6.

Условное обозначение группы

Время выключения, мкс, не более

Условнее обозначение группы

Время выключения, мкс, не более

6) Значение времени выключения для тиристоров небыстровыключающихся и небыстродействующих (низкочастотных) и соответствующие им группы устанавливают в соответствии с табл. 7.

Условное обозначение группы

Время выключения, мкс, не более

Условное обозначение группы

Время выключения, мкс, не более

* Только для приборов на токи менее 100 А.

Примечание. Допускается использование группы 0 для установления норм, отличных от указанных для групп в табл. 2-7; при этом в условных обозначениях приборов нули не следует исключать, а нормы, соответствующие группе 0, устанавливают в технических условиях на приборы конкретных типов.

1.4.1.4. Значения критической скорости нарастания тока в открытом состоянии тиристоров в диапазоне от 6,3 до 2500 А/мкс выбирают из ряда R 10: 6,3; 8; 10; 12,5; 16; 20; 25; 32; 40; 50; 63; 80; 100; 125; 160; 200; 250; 320; 400; 500; 630; 800; 1000; 1250; 1600; 2000 и 2500 А/мкс.

1.4.1.5. Значения времени обратного восстановления для небыстровосстанавливающихся низкочастотных диодов, если это предусмотрено техническими условиями на диоды конкретных типов, выбирают из ряда R 5: 10; 16; 25; 40; 63; 100; 250 и 400 мкс.

1.4.2. Значения контрольных температур, при которых устанавливают нормы на предельно допустимые значения параметров и характеристики, выбирают из ряда: -65; -60; -55; -50; -40; -25; -10; 0; +15; +25; +40; +45; +55; +60; +70; +85; + 100; +110; +115; +120; +125; +140; +150; +160; +170; + 175; +190; +200; +220; +240; +250; +260; +280; +300; + 335; +350°С.

Примечание. При установлении максимально допустимых значений токов по температуре корпуса допускается применение промежуточных значений температур корпусов.

1.4.3. Электрическая прочность и сопротивление изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его электрическими выводами, а также между основными выводами и выводом управления для оптронных тиристоров и симметричных оптронных тиристоров должна быть указана в технических условиях на модули, оптронные тиристоры и симметричные оптронные тиристоры конкретных типов.

1.5. Требования к устойчивости при механических воздействиях

1.5.1. Приборы и модули должны быть механически прочными и сохранять свои параметры в пределах норм технических условий на приборы и модули конкретных типов после воздействия на них механических нагрузок по группе М27 по ГОСТ 17516 и одиночных ударов длительностью импульса 50 мс и ускорением 40 (4 g).

В технически обоснованных случаях приборы и модули могут изготавливаться и для других условий эксплуатации по ГОСТ 17516.

1.6. Требования к устойчивости при климатических воздействиях

1.6.1. Приборы и модули должны изготовлять в климатическом исполнении по ГОСТ 15150 и ГОСТ 15543 для эксплуатации в атмосфере типов I и II по ГОСТ 15150 и атмосферном давлении Па (650-800 мм рт. ст.).

Климатическое исполнение и категория размещения должны быть указаны в технических условиях на приборы и модули конкретных типов.

1.6.2. Приборы и модули должны допускать эксплуатацию при температуре окружающей среды от минимально допустимой рабочей температуры до максимально допустимой рабочей температуры окружающей среды, указанных в технических условиях на приборы конкретных типов.

При этом допустимые электрические режимы в конкретных условиях должны быть определены в соответствии с данными, приведенными в каталогах на приборы и модули.

1.6.3. Приборы и модули должны быть стойкими к воздействию на них следующих климатических факторов:

смены температур от минимально допустимой температуры хранения до максимально допустимой рабочей температуры окружающей среды;

влажности в зависимости от климатического исполнения и категории размещения по ГОСТ 15150.

1.7. Требования к надежности

1.7.1. Для каждого типа прибора и модуля в технических условиях на приборы и модули конкретных типов должны устанавливаться показатели безотказности, долговечности и сохраняемости.

1.7.2. Норму на наработку при определении безотказности и долговечности выбирают из ряда: 500, 1000, 5000, 10000, 12000, 18000, 20000, 25000, 50000, 87000, 100000 ч.

1.7.3. В качестве показателя безотказности следует устанавливать вероятность безотказной работы на наработку, выбранную из ряда по п. 1.7.2. Дополнительно может задаваться значение интенсивности отказов, полученной из испытаний продолжительностью, достаточной для получения результатов с требуемой достоверностью, и по требованию потребителя установленная безотказная наработка, используемая при установлении гарантийных обязательств на приборы и модули.

1.7.4. В качестве показателей долговечности следует устанавливать:

1) гамма-процентный ресурс в часах, выбираемый из ряда по п. 1.7.2, но не менее 10000 ч;

2) гамма-процентный срок службы в годах при условии суммарной наработки не более гамма-процентного ресурса.

Значение должно быть не менее 90%.

1.7.5. Показатель сохраняемости приборов и модулей при хранении их в условиях, установленных настоящим стандартом и техническими условиями на приборы и модули конкретных типов, следует задавать гамма-процентным сроком сохраняемости при хранении в годах и быть не менее 3 лет. Значение гамма должно быть не менее 90%.

1.8. Виды и подвиды приборов и модулей и их буквенные обозначения

1.8.1. Приборы и модули подразделяют на виды в зависимости от характера вольт-амперной характеристики и способа управления в соответствии с указанным в табл. 8.

Выпрямительный диод (допускается диод)

Лавинный выпрямительный диод (допускается лавинный диод)

Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении (допускается тиристор)

Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении (допускается тиристор, проводящий в обратном направлении и тиристор-диод)

Симметричный триодный тиристор (допускается симметричный тиристор, триак)

Асимметричный триодный тиристор (допускается асимметричный тиристор)

Оптронный тиристор (допускается оптотиристор)

Симметричный оптотиристор (допускается оптосимистор, оптотриак)

Биполярный транзистор (допускается транзистор)

Биполярный составной транзистор (допускается транзистор Дарлингтона)

Модуль беспотенциальный (допускается модуль)

1. Допускается применение дополнительных видов приборов и модулей и их буквенных обозначений, соответствующих установленным в технических условиях на приборы и модули конкретных типов.

2. Для тиристоров, проводящих в обратном направлении, при нормированном токе в обратном проводящем направлении допускается обозначение — ТД.

1.8.2. Виды диодов и тиристоров в зависимости от коммутационных параметров подразделяют на подвиды в соответствии с табл. 9. Подвиды транзисторов и их буквенные обозначения должны соответствовать установленным в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Значение коммутационного параметра

Время обратного восстановления

Более значения, указанного в табл. 2

Более значения, указанного в табл. 5

1. Буквенное обозначение подвида указывают после буквенного обозначения вида прибора.

2. Для быстровыключающихся, быстровключающихся и быстродействующих тиристоров ТОП, ТЗ, ТП, быстровосстанавливающегося диода ДШ буква, обозначающая подвид, не указывается.

3. В скобках приведены допустимые наименования.

1.8.3. Модули в зависимости от входящих в них полупроводниковых элементов (элементов приборов) подразделяют на подвиды.

Обозначение подвида модуля состоит из обозначений вида и подвида силовых полупроводниковых элементов приборов, входящих в модуль (аналогично табл. 8 и 9), причем первым приводят обозначение элемента прибора, находящегося ближе к катодному или эмиттерному выводу модуля.

1.9. Модификации приборов и модулей

1.9.1. Приборы подразделяют на модификации в зависимости от конструктивных признаков, указанных в табл. 10 и 11, а также других признаков, указанных в технических условиях на приборы конкретных типов.

Полное обозначение модификации должно состоять из трех знаков: первый знак — порядковый номер модификации, указанный в технических условиях на приборы конкретных типов, второй знак — цифра в соответствии с табл. 10, третий знак — цифра в соответствии с табл. 11.

1.9.2. Модули, при необходимости, подразделяют на модификации в зависимости от признаков, указанных в технических условиях на модули конкретных типов.

1.9.3. Диоды и тиристоры (кроме приборов таблеточного исполнения) в зависимости от конструктивного расположения анодного и катодного выводов подразделяют на приборы с прямой полярностью (основание корпуса — анод) и приборы с обратной полярностью (основание корпуса — катод). Для приборов с обратной полярностью, в том числе p-n-р транзисторов, к обозначению типа прибора следует соответственно добавлять букву «X».

Размер шестигранника под ключ, мм

Максимальный диаметр корпуса, мм

Межцентровое расстояние, мм

По техническим условиям на приборы конкретных типов

Примечание. Для приборов, конструктивные признаки которых не указаны в табл. 10, вторым знаком устанавливают цифру 0.

Конструктивное исполнение прибора

Штыревой с гибким выводом

Штыревой с жестким выводом

Конструктивные исполнения по техническим условиям на приборы конкретных типов

1.10. Приборы и модули подразделяют на типы, указанные ниже.

Приборы и модули следует подразделять на типы по признакам, указанным в пп. 1.8, 1.9, и по значениям: максимально допустимого среднего прямого тока — для диодов всех видов и подвидов; максимально допустимого среднего тока в открытом состоянии — для тиристоров всех видов и подвидов (кроме симметричных тиристоров, симметричных оптотиристоров, запираемых и быстровключающихся тиристоров); максимально допустимого повторяющегося импульсного запираемого тока в открытом состоянии — для запираемых тиристоров; максимально допустимого повторяющегося импульсного тока в открытом состоянии — для быстровключающихся тиристоров; максимально допустимого действующего тока в открытом состоянии — для симметричных тиристоров и симметричных оптотиристоров; максимально допустимого постоянного тока коллектора — для всех видов транзисторов; соответствующего максимально допустимого тока элементов приборов, входящих в модуль, — для модулей всех видов и подвидов (при условии одновременной работы всех элементов приборов в модуле).

1.11. Приборы и модули одного типа подразделяют на классы в соответствии с указанным ниже.

Диоды подразделяют на классы по значениям повторяющегося импульсного обратного напряжения; триодные тиристоры, не проводящие в обратном направлении, — по значениям повторяющегося импульсного обратного напряжения и повторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии; триодные тиристоры, проводящие в обратном направлении, асимметричные тиристоры и симметричные тиристоры — по значениям повторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии (симметричные тиристоры — по значениям напряжений для обоих направлений); транзисторы — по значениям максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер при разомкнутой цепи базы; модули — по значениям напряжения входящих в модуль элементов приборов.

Классы приборов и модулей должны обозначаться цифрами в соответствии с п. 1.4.1.2 и соответствовать установленным в технических условиях на приборы и модули конкретных типов.

1.12. Приборы одного типа и класса подразделяют на группы, как указано ниже.

1) Диоды быстровосстанавливающиеся и диоды Шоттки — по значению времени обратного восстановления.

2) Тиристоры всех видов и подвидов (кроме симметричных тиристоров, оптосимисторов и тиристоров, проводящих в обратном направлении) — по значению критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии.

3) Симметричные тиристоры, оптосимисторы и тиристоры, проводящие в обратном направлении, — по значению критической скорости нарастания коммутационного напряжения.

4) Тиристоры быстровыключающиеся — по значению времени выключения.

5) Тиристоры быстровключающиеся — по значению времени включения.

6) Тиристоры быстродействующие и тиристоры запираемые — по значениям времени выключения и времени включения.

7) Тиристоры, не относящиеся к быстровыключаемым и быстродействующим,- по значению времени выключения, если это указано в технических условиях на конкретные типы приборов.

8) Транзисторы — по значениям времени включения, времени выключения, напряжения насыщения и статического коэффициента передачи тока (с установлением групп по приложению 2), если это предусмотрено техническими условиями на транзисторы конкретных типов.

Значения критической скорости нарастания тока в открытом состоянии в соответствии с п. 1.4.1.4 для тиристоров всех видов и подвидов должны соответствовать установленным в технических условиях на приборы конкретных типов.

Группы по времени обратного восстановления, критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, критической скорости нарастания коммутационного напряжения, времени выключения, времени включения устанавливают для каждого из перечисленных параметров в технических условиях на приборы конкретных типов и обозначают в соответствии с п. 1.4.1.3.

Приборы, предназначенные для параллельной работы, по согласованию между изготовителем и потребителем должны отбирать по значениям импульсного прямого напряжения — для диодов и импульсного напряжения в открытом состоянии — для тиристоров с разбросом в партии приборов до %.

1.13. Модули одного типа и класса подразделяют на группы в соответствии с группами входящих в них элементов приборов по п. 1.12.

1.14. Условные обозначения приборов и модулей

1.14.1. Условное обозначение типа прибора и модуля должно состоять из букв и цифр, обозначающих вид, подвид, модификацию по пп. 1.8-1.9, цифр, обозначающих ток в амперах, а также буквы, обозначающей полярность прибора по п. 1.9.3.

В условном обозначении типов приборов и модулей перед обозначением тока ставят тире. В условном обозначении типов модулей тире допускается также ставить между обозначениями вида модуля, входящих в него элементов приборов и модификации, если в этом есть необходимость для однозначности понимания.

Примеры условных обозначений типов приборов и модулей:

Диода штыревого исполнения с гибким выводом обратной полярности на максимально допустимый средний прямой ток 200 А:

Тиристора таблеточного исполнения на максимально допустимый средний ток в открытом состоянии 500 А:

Транзистора фланцевого исполнения на максимально допустимый постоянный ток коллектора 100 А:

Модуля фланцевого исполнения, состоящего из одного элемента диода и одного элемента оптотиристора на ток 80 А, соединенных последовательно, причем тиристор ближе к катодному выводу:

1.14.2. Условное обозначение диода должно содержать:

3) группу по времени обратного восстановления — по п. 1.12;

4) климатическое исполнение и категорию размещения по ГОСТ 15150;

5) обозначение технических условий на диоды конкретных типов.

1. Перед обозначением класса и группы по времени обратного восстановления следует ставить тире.

2. Если для быстровосстанавливающегося диода группа по времени обратного восстановления соответствует цифре 0 (время восстановления не нормируют), то в условном обозначении диода нуль не следует указывать.

Пример условного обозначения диода типа Д. 1 — 200 X пятого класса, климатического исполнения Т, категории размещения 3:

1.14.3. Условное обозначение тиристора должно содержать:

3) группу по критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии — по п. 1.12;

4) группу по критической скорости нарастания коммутационного напряжения — по п. 1.12;

5) группу по времени выключения — по п. 1.12;

6) группу по времени включения — по п. 1.12;

7) климатическое исполнение и категорию размещения по ГОСТ 15150;

8) обозначение технических условий на тиристоры конкретных типов.

1. Перед обозначением класса, группы по критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, группы по критической скорости нарастания коммутационного напряжения следует ставить тире.

2. Если для тиристора все группы соответствуют цифре ноль (параметры не нормируют), то в условном обозначении тиристора нули не следует указывать.

Пример условного обозначения тиристора типа Т. 3 — 500 восьмого класса, с критической скоростью нарастания напряжения в закрытом состоянии по 3-й группе (A3), с временем выключения по 2-й группе (М2) климатического исполнения Т категории размещения 3:

1.14.4. Условное обозначение транзистора должно содержать:

3) группу по времени включения — по п. 1.12;

4) группу по времени выключения — по п. 1.12;

5) группу по напряжению насыщения — по п. 1.12;

6) группу по статическому коэффициенту передачи тока — по п. 1.12;

7) климатическое исполнение и категорию размещения по ГОСТ 15150;

8) обозначение технических условий на конкретные типы транзисторов.

Примечание. Перед обозначением класса и группы по времени включения следует ставить тире.

Пример условного обозначения транзистора типа ТК. 5 — 100 пятого класса, с временем включения по группе В5 и временем выключения по группе Е4, климатического исполнения Т, категории размещения 3:

1.14.5. Условное обозначение модуля должно содержать:

2) класс модуля по п. 1.11 в зависимости от входящих в модуль элементов приборов;

3) группы по п. 1.12 в зависимости от входящих в модуль элементов приборов (причем сначала приводят группы для элемента прибора, указанного первым в обозначении модуля);

4) климатическое исполнение и категорию размещения по ГОСТ 15150;

5) обозначение технических условий на модуль конкретного типа.

Примечание. См. примечание к пп. 1.14.2-1.14.4.

Пример условного обозначения модуля МТОД-80 восьмого класса, с критической скоростью нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорного полупроводникового элемента по 3-й группе (A3), с временем выключения по 2-й группе (М2), климатического исполнения Т, категории размещения 3:

2.1. По согласованию между изготовителем и потребителем в комплект прибора должен входить охладитель.

2.2. К каждой партии приборов или модулей, транспортируемых в один адрес, должны быть приложены паспорт или этикетка по ГОСТ 2.601.

По требованию потребителя паспорт или этикетку должны прилагать к партии приборов или модулей предусмотренного заказом объема.

2.3. Предприятие-изготовитель должно обеспечить разработку информационных материалов, содержащих нормы на предельно допустимые значения параметров и характеристики и их зависимости от режимов и условий эксплуатации.

Обеспечение информационными материалами осуществляется в установленном порядке.

3.1. Для проверки соответствия приборов и модулей требованиям настоящего стандарта и технических условий на приборы и модули конкретных типов следует проводить следующие виды испытаний:

приемо-сдаточные, периодические, типовые, квалификационные, на надежность.

3.2. Приемо-сдаточные испытания

3.2.1. Приемо-сдаточные испытания следует проводить методами сплошного или выборочного нормального или усиленного контроля по одноступенчатому плану и II уровню по ГОСТ 18242.

Соответствующие планы контроля следует выбирать по табл. 1, 20 и 21 ГОСТ 18242.

В технических условиях на приборы и модули конкретных типов должны устанавливать вид контроля при приемо-сдаточных испытаниях (сплошной или выборочный). Перед испытаниями приборы и модули следует выдерживать в нормальных климатических условиях в течение времени, установленного в технических условиях на приборы и модули конкретных типов, но не менее трех суток.

Примечание. Отсчет времени при определении времени, выдержки следует устанавливать от последней технологической операции (герметизация, сборка модулей).

3.2.2. Приемо-сдаточные испытания должны проводить по программе, указанной в табл. 12, в любой последовательности.

Источник