Abbaq микросхема преобразователь напряжения

Решено Опознать DC/DC в корпусе sot-23-5 и с маркировкой ABBAR

Как определить компонет Маркировка компонентов Логотип производителя Корпуса электронных компонентов Справочники Обмен ссылками Ссылки дня

Как определить электронный компонент?

В первую очередь по его маркировке. Для начинающих, отметим, что во многих случаях для успешного опознования компонента необходимо определить:

  • Маркировку
  • Тип корпуса
  • Логотип производителя
  • Используемый узел
  • Схему включения

При невозможности самостоятельного определения, создавайте свою отдельную тему с качественнымм фотографиями и подробными описаниями. В разделах форума уже содержаться рекомендации, справочники, даташиты производителей — DataSheet.

  • Какая маркировка электронных компонентов ?

    Marking (маркировка) — это обозначение на корпусе электронного компонента (радиодетали).

    Она может быть полной, укороченной, SMD-кодом, цветовой, и тд. И если с резисторами и конденсаторами обычно проблем нет, то с микросхемами и транзисторами часто возникают вопросы с распознованием.

    Всю информацию по маркировке производители указывают в даташитах (DataSheet), которые размещены на их сайтах. На форуме накоплен большой опыт в распознавании импортных радиодеталей использующихся в современной аппаратуре. Некоторая документация закачана разделы — микросхемы, транзисторы, диоды и стабилитроны.

    Какие логотипы у производителей электронных компонентов?

    Logo (логотип) — символика производителя на корпусе компонента.
    Как правило, это небольшие рисунки или символы, если позволяет место для размещения.
    Распознав производителя уже намного понятнее в каком направлении копать дальше.

    Читайте также:  Устройство сенс преобразователь магнитный поплавковый пмп 118 руководство по эксплуатации

    Большой список фото и других данных по компаниям производителей размещены в теме логотипы производителей электронных компонентов

    Какие типы корпусов электронных компонентов?

    Package (корпус) — вид корпуса электронного элемента.
    На сайте сущеструет каталог с чертежами часто встречающихся типов корпусов (размеры, спецификация, чертеж)

    • Корпуса электронных компонентов
    • SOP-8 150-mil
    • SOP-8 208-mil
    • SOT23-6
    • SOT89-5

    В современной электронике наиболее часто используются компоненты в SMD корпусах. Ниже только мизерная часть того, что можно встретить в аппаратуре:

    Корпус Краткое описание
    DIP (Dual In Package) – корпус с двухрядным расположением контактов для монтажа в отверстия
    SOT-89 Пластиковый корпус для поверхностного монтажа
    SOT-23 Миниатюрный пластиковый корпус для поверхностного монтажа
    SOP (SOIC, SO, TSSOP) — миниатюрные корпуса для поверхностного монтажа
    TO-220 Корпус для монтажа (пайки) в отверстия
    TSOP (Thin Small Outline Package) – тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
    BGA (Ball Grid Array) — корпус для монтажа выводов на шарики из припоя

    Где скачать справочник ?

    Большинство справочных данных — распиновка, характеристики и параметры расположены в темах и файловом разделе. Некоторые ссылки:

    Источник

    Понижающий DC/DC конвертер SY8008BAAC

    Микросхема SY8008BAAC предназначена для преобразования постоянного напряжения 5 или 3.3 вольта в более низкое напряжение, например 3.3, 2.5, 1.8, 1.2 вольта, необходимое для питания микросхем микропроцессора, оперативной и флеш-памяти, различных контроллеров.

    Назначение выводов:

    • GND (Ground) — земля, общий провод;
    • IN (Input Voltage) — входное напряжение;
    • EN (Enable) — вход включения. При подаче логической единицы на этот вход микросхема включается, при соединении с землей — выключается;
    • SW (Switch) — выход подключаемый к дросселю;
    • FB (FeedBack) — вход напряжения обратной связи;

    Маркировка: AB ywp, где:

    y — код года выпуска;
    w — код недели выпуска;
    p — номер партии;

    Характеристики SY8008BAAC:

    Максимальное входное напряжение 5.5 V;
    Минимальное входное напряжение 2.5 V;
    Максимальный выходной ток 1 A;
    Максимальная частота генерации 1.5 Mhz;
    Напряжение обратной связи Vfb 0.6 V;

    Микросхема представляет собой понижающий импульсный преобразователь напряжения с широтно-импульсной модуляцией (ШИМ), который поддерживает на одном уровне выходное напряжение за счет изменения скважности импульсов на выходе SW. Выходное напряжение микросхемы (Vout) зависит только от соотношения номиналов резисторов R1 и R2 и определяется по формуле: Vout = Vfb • (1 + R1/R2), но оно не может быть выше напряжения питания минус 0.8 вольт. Если микросхема вышла из строя, выпаяв ее и измерив оба резистора можно судить о том, какое напряжение было на выходе.

    Микросхемы SY8008BAAC часто применяются в приставках (тюнерах) для приема цифрового телевидения, планшетах, ноутбуках для формирования напряжений питания процессора, памяти, демодулятора и тюнера

    Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на микросхему SY8008BAAC можно здесь.

    Понравилась статья — поделитесь с друзьями:

    Источник

    Микросхемы для DC/DC-преобразователей от STMicroelectronics

    Компания STMicroelectronics выпускает микросхемы для создания неизолированных DC/DC-преобразователей с высокими качественными показателями, требующие небольшого количества внешних компонентов.

    Постоянное развитие ИС для DC/DC-преобразователей характеризуется следующими факторами:

    • повышением рабочих частот преобразования (максимальная частота преобразования для микросхем STMicroelectronics составляет 1,7МГц), что позволяет резко уменьшить размеры внешних компонентов и минимизировать площадь печатной платы;
    • уменьшением размеров корпусов микросхем благодаря высоким частотам преобразования (корпус DFN6D имеет размеры всего 3х3мм);
    • повышением удельной плотности выходного тока (корпус DFN6D обеспечивает выходной ток до 2,0А; корпуса DFN8 и PowerSO-8 могут работать при токах до 3,0А);
    • повышением КПД и снижением потребляемой мощности при отключенном состоянии, что особенно важно для приборов с автономным питанием.

    Компания STM разделяет свои микросхемы для неизолированных DC/DC-преобразователей на две группы. Первая группа имеет рабочую частоту до 1 МГц (параметры сведены в таблицу 1), вторая группа — с частотой преобразования 1,5 и 1,7 МГц (параметры см. в таблице 2). Во вторую группу добавлены также и микросхемы серии ST1S10 с номинальной частотой преобразования 0,9 МГц (максимальная частота преобразования для этих микросхем может достигать 1,2 МГц). Микросхемы серии ST1S10 могут работать при синхронизации от внешнего генератора в диапазоне частот от 400 кГц до 1,2 МГц.

    Таблица 1. Микросхемы STMicroelectronics для DC/DC-преобразователей с частотой преобразования до 1 МГц

    Наименование Топология Vвх., В Vвых., В Iвых., А Частота
    преобразования, МГц
    Вход
    отключения
    Корпус
    L296 Step-down 9…46 5,1…40 4 до 200 Есть MULTIWATT-15
    L4960 Step-down 9…46 5,1…40 2,5 до 200 Нет HEPTAWATT-7
    L4962 Step-down 9…46 5,1…40 1,5 до 200 Есть HEPTAWATT-8, DIP-16
    L4963 Step-down 9…46 5,1…40 1,5 42…83 Нет DIP-18, SO-20
    L4970A Step-down 12…50 5,1…50 10 до 500 Нет MULTIWATT-15
    L4971 Step-down 8…55 3,3…50 1,5 до 300 Есть DIP-8, SO-16W
    L4972A Step-down 12…50 5,1…40 2 до 200 Нет DIP-20, SO-20
    L4973D3.3 Step-down 8…55 0,5…50 3,5 до 300 Есть DIP-8, SO-16W
    L4973D5.1 Step-down 8…55 5,1…50 3,5 до 300 Есть DIP-8, SO-16W
    L4974A Step-down 12…50 5,1…40 3,5 до 200 Нет MULTIWATT-15
    L4975A Step-down 12…50 5,1…40 5 до 500 Нет MULTIWATT-15
    L4976 Step-down 8…55 0,5…50 1 до 300 Есть DIP-8, SO-16W
    L4977A Step-down 12…50 5,1…40 7 до 500 Нет MULTIWATT-15
    L4978 Step-down 8…55 3,3…50 2 до 300 Есть DIP-8, SO-16W
    L5970AD Step-down 4,4…36 0,5…35 1 500 Есть SO-8
    L5970D Step-down 4,4…36 0,5…35 1 250 Есть SO-8
    L5972D Step-down 4,4…36 1,23…35 1,5 250 Нет SO-8
    L5973AD Step-down 4,4…36 0,5…35 1,5 500 Есть HSOP-8
    L5973D Step-down 4,4…36 0,5…35 2 250 Есть HSOP-8
    L5987A Step-down 2,9…18 0,6…Vвх. 3 250…1000 Есть HSOP-8
    L6902D Step-down 8…36 0,5…34 1 250 Нет SO-8
    L6920D Step-up 0,6…5,5 2…5,2 1 до 1000 Есть TSSOP-8
    L6920DB Step-up 0,6…5,5 1,8…5,2 0,8 до 1000 Есть miniSO-8

    Таблица 2. Микросхемы для понижающих DC/DC-преобразователей с частотой преобразования от 0,9 до 1,7 МГц

    Серия Наименование Iвых., А Vвх.,В Vвых., В Частота
    преобразования, МГц
    Вход
    отключения
    Корпус
    ST1S03 ST1S03PUR 1,5 3…16 0,8…12 1,5 Нет DFN6D (3х3 мм)
    ST1S03A ST1S03AIPUR 3…5.5 0,8…5.5 1,5 Есть DFN6D (3х3 мм)
    ST1S03APUR 1,5 Нет
    ST1S06 ST1S06PUR 2,7…6 0,8…5.5 1,5 Есть DFN6D (3х3 мм)
    ST1S06A ST1S06APUR 1,5 Нет
    ST1S06xx12 ST1S06PU12R 2,7…6 1,2 1,5 Есть DFN6D (3×3 мм)
    ST1S06xx33 ST1S06PU33R 3,3 1,5 Есть
    ST1S09 ST1S09IPUR 2,0 2,7…5,5 0,8…5 1,5 Есть DFN6D (3х3 мм)
    ST1S09PUR 1,5 Нет
    ST1S10 ST1S10PHR 3,0 2,5…18 0,8…0,85Vвх. 0,9 (0,4…1,2)* Есть PowerSO-8
    ST1S10PUR DFN8 (4×4 мм)
    ST1S12xx ST1S12GR 0,7 2,5…5,5 1,2…5 1,7 Есть TSOT23-5L
    ST1S12xx12 ST1S12G12R 1,2
    ST1S12xx18 ST1S12G18R 1,8
    * – в скобках указан диапазон частот преобразования при синхронизации от внешнего генератора.

    Основная часть микросхем для DC/DC-преобразователей из таблицы 1 имеет частоту преобразования до 300 кГц. На таких частотах облегчается выбор индуктивностей на выходе DC/DC, т. к. для рабочих частот микросхем из таблицы 2 (1,5 и 1,7 МГц) на частотные характеристики индуктивностей необходимо обращать особое внимание. На рисунках 1 и 2 в качестве примеров приведены рекомендуемые производителем схемы включения микросхем L5973D (выходной ток до 2,0 А при частоте преобразования 250 кГц) и ST1S06 (выходной ток до 1,5 А при частоте преобразования 1,5 МГц).

    Рис. 1. Схема включения L5973D (частота преобразования 250 кГц)

    Рис. 2. Схема включения ST1S06 (ток до 1,5 А, частота преобразования 1,5 МГц)

    Из рисунков 1 и 2 видно, что микросхемы с относительно низкими частотами преобразования по современным меркам требуют большего количества внешних электронных компонентов, имеющих увеличенные размеры по сравнению с компонентами преобразователей, работающих на частотах более 1 МГц. Микросхемы для DC/DC из таблицы 2 обеспечивают гораздо меньшие размеры печатной платы, но необходимо более внимательно относиться к разводке проводников для уменьшения излучаемых электромагнитных помех.

    Некоторые микросхемы позволяют управлять включением и выключением конвертеров благодаря наличию входа INHIBIT. Пример включения таких микросхем приведен на рис. 3. ST1S09 (без входа INHIBIT) и ST1S09I (с входом INHIBIT). В нижней части этого рисунка приведены рекомендуемые значения номиналов резисторов R1 и R2 для формирования выходных напряжений 1,2 и 3,3 В.

    Рис. 3. Отличия схем включения ST1S09 (без входа отключения) и ST1S09I (с входом отключения)

    При наличии на входе управления VINH высокого уровня напряжения (более 1,3 В) микросхема ST1S09I находится в активном состоянии; при напряжении на этом входе менее 1,4 В DC/DC-преобразователь отключается (собственное потребление при этом составляет менее 1 мкА). Вариант микросхемы без входа управления на выводе 6 вместо входа VINH имеет выход «PG = Power Good» (питание в норме). Формирование сигнала «Power Good» проиллюстрировано на рис. 4. Когда на входе «FB» (FeedBack или вход обратной связи) достигается значение 0,92хVFB, происходит переключение компаратора, и на выходе PG формируется высокий уровень напряжения, информирующий о том, что выходное напряжение находится в допустимых пределах.

    Рис. 4. Формирование сигнала «Power Good» на выходе PG микросхемы ST1S09

    Эффективность преобразования
    на примере микросхем ST1S09 и ST1S09I

    Эффективность понижающего DC/DC-преобразователя сильно зависит от параметров интегрированных в микросхемы транзисторов с изолированным затвором (MOSFET), выполняющих роль ключа. Одна из проблем высокочастотных преобразователей связана с током заряда затвора транзистора при управлении им с помощью ШИМ-контроллера. Потери в этом случае практически не зависят от тока в нагрузке. Вторая проблема, снижающая КПД, — рассеиваемая в транзисторе мощность во время переключения из одного состояния в другое (в эти промежутки времени транзистор работает в линейном режиме). Уменьшить потери можно, обеспечив более крутые фронты переключения, но это повышает электромагнитные шумы и помехи по цепям питания. Еще одна причина снижения КПД преобразователя — наличие активного сопротивления «сток — исток» (Rdson). В правильно спроектированной схеме КПД достигает максимального значения при равенстве статических (омических) и динамических потерь. Следует учесть, что выходной выпрямительный диод также вносит свою долю динамических и статических потерь. Некорректно выбранная индуктивность на выходе DC/DC-преобразователя может дополнительно существенно снизить эффективность преобразования, что заставляет помнить и об ее высокочастотных свойствах. В самом плохом случае на высоких частотах преобразования выходной дроссель может потерять свои индуктивные свойства, и преобразователь просто не будет работать.

    Компания STMicroelectronics уже много лет выпускает мощные полевые транзисторы и диоды с очень высокими динамическими и статическими характеристиками. Обладание отлаженной технологией производства транзисторов MOSFET позволяет компании интегрировать свои полевые транзисторы в микросхемы для DC/DC-преобразователей и достигать высоких значений КПД преобразования.

    На рис. 5 (а, б, в) в качестве примера приведены типовые зависимости эффективности преобразования от некоторых параметров при разных условиях работы. Графики зависимости КПД от величины выходного тока достигают максимальных значений около 95% при токе 0,5 А. Далее спад этих характеристик довольно пологий, что характеризует лишь небольшое увеличение потерь при росте выходного тока до максимального значения.

    Рис. 5а. Зависимости КПД для серии ST1S09 от выходного тока

    На рис. 5б показаны зависимости КПД от уровня выходного напряжения DC/DC-преобразователей на микросхемах ST1S09 и ST1S09I. С ростом выходного напряжения КПД возрастает. Это объясняется тем, что падение напряжения на транзисторах выходного каскада практически не зависит от выходного напряжения при неизменном выходном токе, поэтому с ростом выходного напряжения процент вносимых потерь будет уменьшаться.

    Рис. 5б. Зависимости КПД для серии ST1S09 от выходного напряжения

    На рис. 5в приведены зависимости КПД от величины индуктивности на выходе. В диапазоне от 2 до 10 мкГн эффективность преобразования практически не изменяется, что позволяет выбирать величину индуктивности из широкого диапазона номиналов. Конечно, нужно стремиться к максимально возможному уровню индуктивности для обеспечения лучшей фильтрации напряжения пульсаций выходного тока. Понятно, что с ростом значений выходного тока КПД уменьшается. Это объясняется ростом потерь в выходных каскадах DC/DC-преобразователей.

    Рис. 5в. Зависимости КПД для серии ST1S09 от индуктивности

    Сравнение с микросхемами других производителей

    В таблицах 3, 4 и 5 приведены параметры близких по функциональному значению микросхем от других производителей.

    Из таблицы 3 видно, что FAN2013MPX — это полный аналог для микросхемы ST1S09IPUR, но у компании STMicroelectronics дополнительно в этой серии есть микросхема ST1S09PUR с наличием выхода «Power Good», что расширяет выбор разработчика.

    Таблица 3. Близкие замены микросхем для DC/DC-преобразователей от других производителей

    Производитель Наименование Iвых макс., А Частота
    преобразования, МГц
    Power Good Совместимость
    по выводам
    Корпус
    STMicroelectronics ST1S09PUR 2 1,5 Есть Есть DFN3x3-6
    ST1S09IPUR Нет Есть
    Fairchild Semiconductor FAN2013MPX 2 1,3 Нет Есть DFN3x3-6

    В таблице 4 приведены функциональные замены (нет совместимости по выводам) от других производителей для микросхем ST1S10. Основное преимущество микросхем ST1S10 — наличие синхронного выпрямления в выходных каскадах, что обеспечивает более высокий КПД преобразования. Кроме того, корпус DFN8 (4х4 мм) имеет меньшие размеры по сравнению с корпусами функционально близких микросхем других производителей. Внутренняя схема компенсации позволяет сократить количество внешних компонентов обвязки микросхем.

    Таблица 4. Близкие замены микросхем ST1S10PxR для понижающих DC/DC-преобразователей от других производителей

    Производитель Наименование Iвых макс., А Синхронное выпрямление Компенсация Мягкий запуск Совмести- мость
    по выводам
    Корпус
    STMicroelectronics ST1S10PHR 3 Есть Внутренняя Внутренний PowerSO-8
    ST1S10PUR DFN8 (4×4 мм)
    Monolithic Power Systems MP2307/MP1583 3 Есть/Нет Внешняя Внешний Нет SO8-EP
    Alpha & Omega Semiconductor AOZ1013 3 Нет Внешняя Внутренний Нет SO8
    Semtech SC4521 3 Нет Внешняя Внешний Нет SO8-EP
    AnaChip AP1510 3 Нет Внутренняя Внутренний Нет SO8

    В таблице 5 показаны возможные замены для микросхем ST1S12. Основное преимущество микросхем ST1S12 — большее значение максимально допустимого выходного тока: до 700 мА. Микросхема MP2104 фирмы MPS совместима по выводам с микросхемой ST1S12. Микросхемы LM3674 и LM3671 можно рассматривать только в качестве близкой функциональной замены для ST1S112 из-за отсутствия совместимости по выводам.

    Таблица 5. Близкие замены микросхем ST1S12 для понижающих DC/DC-преобразователей от других производителей

    Производитель Наименование Iвых
    (макс.), мА
    Частота
    преобразования, МГц
    Vвх (макс.), В Вход
    отключения
    Совмести- мость
    по выводам
    Корпус
    STMicroelectronics ST1S12 700 1,7 5,5 есть TSOT23-5L
    Monolithic Power Systems MP2104 600 1,7 6 есть есть TSOT23-5L
    National Semiconductor LM3674 600 2 5,5 есть нет SOT23-5L
    LM3671 600 2 5,5 есть нет SOT23-5L

    Выбор микросхем для
    DC/DC-преобразователей на сайте

    Для быстрого поиска электронных компонентов по известным параметрам удобнее всего воспользоваться сайтом http://www.catalog.compel.ru/. Для параметрического поиска на этом сайте настоятельно рекомендуется установить и использовать бесплатную программу для просмотра сайтов (браузер) «Google Chrome». Работа в этом браузере ускоряет поиск в несколько раз. Микросхемы для DC/DC-преобразователей компании STMicroelectronics можно найти на сайте по следующему пути: «Управление питанием» ® «ИМС для DC/DC» ® «Регуляторы (+ключ)». Далее можно выбрать бренд «ST» и активировать фильтр «Склад» для выбора только тех компонентов, которые имеются на складе. Результат этих действий показан на рис. 6. Можно сделать более конкретную выборку по требуемым параметрам, применяя другие фильтры.

    Заключение

    Особенно важен правильный выбор микросхем для DC/DC-преобразователей в приборах с автономными источниками питания. В некоторых случаях выбор подходящей схемы питания может оказаться трудной задачей, но, уделив достаточно времени проработке и выбору схемы электропитания устройства, можно добиться определенного преимущества над конкурентами за счет более компактного и недорогого решения с более высокой эффективностью преобразования электрической энергии. Микросхемы для DC/DC-преобразователей STMicroelectronics облегчают выбор и позволяют реализовать заложенные в них преимущества при создании конкурентоспособных схем электропитания.

    Источник

  • Оцените статью
    Электроника